长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、重布线层结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111199933B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-02-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811385525.6,技术领域涉及:H01L23/485;该发明授权半导体结构、重布线层结构及其制造方法是由吴秉桓;许文豪设计研发完成,并于2018-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、重布线层结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开是关于一种重布线层结构、重布线层结构的制造方法以及半导体结构。该重布线层结构包括:重布线层,设置于衬底上,所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部;其中,所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度。本公开提供的重布线层结构,焊垫部相对导线部具有较厚的厚度,较厚的焊垫部能够在封装金或铜打线时提供较多的撞击缓冲区,以避免衬底受力破裂,同时也避免了在增加焊垫部厚度时而引起增加导线间的寄生电容的问题。
本发明授权半导体结构、重布线层结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种重布线层结构,其特征在于,包括:重布线层,设置于一衬底上,所述重布线层包括焊垫部和与所述焊垫部连接的导线部;其中,所述焊垫部的厚度大于所述导线部的厚度;所述焊垫部包括焊垫本体部和设于所述焊垫本体部远离所述衬底一侧上的焊接部;所述焊垫本体部与所述焊接部形成的所述焊垫部呈凸台状,所述焊垫本体部正投影的长度和宽度大于所述焊接部正投影的长度和宽度。
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