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龙图腾网恭喜富士电机(中国)有限公司申请的专利功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110687425B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911058848.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置是由李俊设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体模块及其寿命检测方法和逆变器装置，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT；以及寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命，由于影响功率半导体器件寿命的主要原因是功率半导体器件材料结合部连接劣化，一般主要发生在绑定线与芯片结合处、芯片与DBC绝缘基板焊锡层、DBC绝缘基板与铜底板焊锡层，以上三处的连接劣化松脱或剥离都会导致连接处的电阻升高，进而导致饱和压降VCESAT的升高，通过对饱和压降VCESAT的检测，测算功率半导体器件的使用寿命。

本发明授权功率半导体模块及其使用寿命检测方法和逆变器装置在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括：功率半导体器件；饱和压降检测单元，与所述功率半导体器件电性连接，以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT；以及寿命提示单元，与所述饱和压降检测单元相连接，并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息，所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命；所述寿命提示单元还包括：压降比较单元，与所述饱和压降检测单元电性连接，将所述饱和压降检测单元检测到的所述饱和压降VCESAT与饱和压降阈值VCESATTH进行比较；存储单元，与所述饱和压降检测单元电性连接，用于存储所述饱和压降检测单元检测的所述饱和压降VCESAT的历史数据，以供使用者定期下载数据以绘制所述饱和压降VCESAT随时间变化的增长曲线，并根据所述饱和压降VCESAT的历史数据绘制所述饱和压降VCESAT随时间变化的增长曲线，并将所述增长曲线中所述饱和压降VCESAT的最大值与饱和压降阈值VCESATTH进行比较，并据此测算所述饱和压降VCESAT增长至饱和压降阈值VCESATTH的时间以提高所述功率半导体器件使用寿命推测的精度，该时间即为该功率半导体器件的使用寿命。

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