恭喜台湾积体电路制造股份有限公司陈硕懋获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利多芯片晶片级封装及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109727964B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810022467.4，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权多芯片晶片级封装及其形成方法是由陈硕懋;许峯诚;黄翰祥;刘献文;郑心圃;李孝文设计研发完成，并于2018-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片晶片级封装及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供多种多芯片晶片级封装及其形成方法。一种多芯片晶片级封装包括第一层级及第二层级。所述第一层级包括第一重布线层结构及位于所述第一重布线层结构之上的至少一个芯片。所述第二层级包括第二重布线层结构以及位于所述第二重布线层结构之上的至少两个其他芯片。所述第一层级接合到所述第二层级，使得所述至少一个芯片在实体上接触所述第二重布线层结构。所述至少两个其他芯片的连接件的总数目大于所述至少一个芯片的连接件的总数目。
本发明授权多芯片晶片级封装及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种多芯片晶片级封装，其特征在于包括：第一重布线层结构；芯片模块，位于所述第一重布线层结构上且包括：第一半导体芯片及第二半导体芯片，位于所述第一重布线层结构上；第三半导体芯片及第四半导体芯片，位于所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片上；以及第二重布线层结构，在实体上接触所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片及所述第四半导体芯片；以及第五半导体芯片及第六半导体芯片，位于所述第一重布线层结构上且邻近所述芯片模块，其中所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片中的每一者包括集成无源器件芯片，其中所述第三半导体芯片通过位于所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间的中介片电连接到所述第四半导体芯片。
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