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龙图腾网恭喜青岛航天半导体研究所有限公司申请的专利封装金属外壳继电器的制作系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110768544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911035075.2，技术领域涉及：H02M7/00；该发明授权封装金属外壳继电器的制作系统是由齐安;郝秋强;高伟伟;王新刚设计研发完成，并于2019-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本封装金属外壳继电器的制作系统在说明书摘要公布了：本发明涉及封装金属外壳继电器的制作系统，其包括其内腔中安装有电器模块的外壳（34）的金属外壳继电器，在外壳（34）上设置有石墨板（61），在石墨板（61）上加工有沟槽（62），在沟槽（62）中平行放置有陶瓷绝缘子（63），在石墨板（61）上设置有位于陶瓷绝缘子（63）上方的4J42镀镍盖板（65），在陶瓷绝缘子（63）上方放直径为2.7mm的Ag72Cu28焊料（64），在石墨板（61）上方放置位于Ag72Cu28焊料（64）上方的4J42镀镍盖（65），在4J42镀镍盖（65）与石墨板（61）之间设置有弯折的钼片（66）。本发明设计合理、结构紧凑且使用方便。

本发明授权封装金属外壳继电器的制作系统在权利要求书中公布了：1.一种封装金属外壳继电器的制作系统，其特征在于：包括其内腔中安装有电器模块的外壳（34）的金属外壳继电器，在外壳（34）上设置有石墨板（61），在石墨板（61）上加工有沟槽（62），在沟槽（62）中平行放置有陶瓷绝缘子（63），在石墨板（61）上设置有位于陶瓷绝缘子（63）上方的4J42镀镍盖板（65），在陶瓷绝缘子（63）上方放直径为2.7mm的Ag72Cu28焊料（64），在石墨板（61）上方放置位于Ag72Cu28焊料（64）上方的4J42镀镍盖板（65），在4J42镀镍盖板（65）与石墨板（61）之间设置有弯折的钼片（66）；钼片（66）呈上端开口的梯形结构，钼片（66）下底板与石墨板（61）下表面接触，钼片（66）的两侧斜边，两侧斜边上角头处设置有用于与4J42镀镍盖板（65）上表面两侧压力接触的下弯头；所述金属外壳继电器，包括密封扣合在外壳（34）上的盖板（33）、在盖板（33）上设置有工艺通孔（35）、四周密封焊接在盖板（33）内侧壁上且位于工艺通孔（35）正下方且带有网孔的底部焊接托架（36）、设置在底部焊接托架（36）上且位于工艺通孔（35）下部的上调隙隔膜（37）、位于工艺通孔（35）中且位于上调隙隔膜（37）上方的隔水膜（38）、通过螺栓安装在盖板（33）上的上压网架（39）、以及设置在上压网架（39）与上调隙隔膜（37）之间且与上调隙隔膜（37）结构相同的调隙隔膜；上调隙隔膜（37）、隔水膜（38）、隙隔膜三者厚度之和大于工艺通孔（35）的深度；隔水膜（38）的膜孔直径小于水分子的直径；上调隙隔膜（37）、隔水膜（38）、调隙隔膜三者厚度根据工艺通孔（35）的深度选配；上压网架（39）外接有过滤器，过滤器外接有滤清器。

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