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龙图腾网恭喜西门子股份公司申请的专利金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112189307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980034724.9，技术领域涉及：H03K17/14；该发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控是由马克-马蒂亚斯·巴克兰;于尔根·伯默尔;马丁·黑尔斯佩尔;埃伯哈德·乌尔里希·克拉夫特;贝恩德·拉斯卡;安德烈亚斯·纳格尔;斯特凡·汉斯·维尔纳·舍内沃夫;简·魏格尔设计研发完成，并于2019-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于驱控MOSFET1、特别是基于具有宽带隙的半导体的MOSFET1的驱控装置3和方法。根据本发明，创建特征块，在特征块中与影响所述MOSFET1的开关特性的至少一个运行特征变量U、T相关地存储用于驱控所述MOSFET1的至少一个驱控变量U1、U2、R1、R2相对于所述驱控变量U1、U2、R1、R2的参考驱控值的变化ΔU1、ΔU2、ΔR1、ΔR2，该变化抵抗由至少一个运行特征变量U、T引起的、开关特性的变化。在MOSFET1运行时，求出至少一个运行特征变量U、T的实际值，并且根据特征块，相对于至少一个驱控变量的参考驱控值与至少一个运行特征变量U、T的实际值相关地改变至少一个驱控变量U1、U2、R1、R2。

本发明授权金属氧化物半导体场效应晶体管的驱控在权利要求书中公布了：1.一种用于驱控MOSFET（1）的方法，其中，-创建特征块，在所述特征块中与影响所述MOSFET（1）的开关特性的至少一个运行特征变量相关地存储用于驱控所述MOSFET（1）的至少一个驱控变量相对于所述驱控变量的参考驱控值的变化，该变化抵抗由至少一个所述运行特征变量引起的、所述开关特性的变化，所述特征块具有特征曲线，所述特征曲线显示驱控变量相对于参考驱控值的与至少一个运行特征变量相关的变化，-在所述MOSFET（1）运行时，求出至少一个所述运行特征变量的实际值，并且-根据所述特征块，相对于至少一个所述驱控变量的参考驱控值，与至少一个所述运行特征变量的所述实际值相关地改变至少一个所述驱控变量。

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