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龙图腾网恭喜深圳帧观德芯科技有限公司申请的专利半导体辐射检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113260880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980087442.5，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权半导体辐射检测器是由曹培炎;刘雨润设计研发完成，并于2019-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体辐射检测器在说明书摘要公布了：本文公开一种辐射检测器100，其包括：包括第一组电触点118A和第二组电触点118B的电子器件层120；被配置为吸收辐射的辐射吸收层110；第一组电极119A和第二组电极119B，其中所述第一组电极119A和第二组电极119B相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层110中；其中所述电子器件层120和所述辐射吸收层110被结合，使得所述第一组电极119A被电连接到所述第一组电触点118A，并且所述第二组电极119B被电连接到所述第二组电触点118B。

本发明授权半导体辐射检测器在权利要求书中公布了：1.一种辐射检测器，其包括：包括第一组电触点和第二组电触点的电子器件层；被配置为吸收辐射的辐射吸收层；第一组电极和第二组电极，其中所述第一组电极和第二组电极相互交叉并且沿其厚度方向延伸到所述辐射吸收层中；其中所述电子器件层和所述辐射吸收层被结合，使得所述第一组电极被电连接到所述第一组电触点，并且所述第二组电极被电连接到所述第二组电触点，所述辐射检测器进一步包括在远离所述电子器件层的所述辐射吸收层的表面处的绝缘层；其中所述第一组电极和所述第二组电极被连接到所述绝缘层，其中所述第一组电极中的一个电极与所述第二组电极中的最邻近电极之间的距离不超过2λ，其中，λ是所述辐射吸收层中载流子的平均自由程，其中所述电子器件层包括多个电压源和多个电子系统，所述多个电压源向所述第一组电触点分别提供非零电压，所述多个电子系统与所述第二组电触点分别连接。

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