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龙图腾网恭喜罗伯特·博世有限公司申请的专利垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112424942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980047452.6，技术领域涉及：H10D62/822；该发明授权垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法是由H·鲍托尔夫;A·格拉赫;S·施魏格尔设计研发完成，并于2019-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有半导体衬底2的垂直功率晶体管1，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层3，其中，沟槽结构从所述半导体衬底2的表面延伸到所述至少一个外延层3的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域13，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域13包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度t1和第一宽度w1，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底2的表面延伸，其中，所述第一区域13包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度w2，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底2的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域13包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底2的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域13与源接合部导电连接。

本发明授权垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.垂直功率晶体管1，具有半导体衬底2，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层3，其中，沟槽结构从所述半导体衬底2的表面延伸到所述至少一个外延层3的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域13，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域13包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度t1和第一宽度w1，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底2的表面延伸，其中，所述第一区域13包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度w2，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底2的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域13包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底2的表面的第二倾斜角度，其中，所述第二部分区域和所述第三部分区域关于相应沟槽的中垂线对称地布置，使得其形状基本上是V形，其中，V形的敞开侧朝着第二金属层15的方向指向，所述第二金属层15布置在所述半导体衬底2的后侧上，其中，所述第一区域13与源接合部导电连接。

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