武汉羿变电气有限公司毛锦进获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉羿变电气有限公司申请的专利多芯片并联的全桥封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222953907U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421427576.1，技术领域涉及：H02M1/00；该实用新型多芯片并联的全桥封装结构是由毛锦进;黄志召;段三丁;李玉林;陈材;康勇设计研发完成，并于2024-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片并联的全桥封装结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多芯片并联的全桥封装结构，包括DBC基板，DBC基板包括两组对称设置的铜箔区形成的电路层，单个铜箔区包括负极DC‑铜箔、下桥的交流AC铜箔以及上桥的DC+铜箔；下桥的第一部分N颗芯片焊接在一个铜箔区的AC铜箔上，下桥的第二部分N颗芯片焊接在另一个铜箔区的AC铜箔上；上桥的第一部分N颗芯片连接于一个铜箔区的DC+铜箔上，上桥的第二部分N颗芯片连接于另一个铜箔区的DC+铜箔上；下桥的第一部分N颗芯片并联，下桥的第二部分N颗芯片并联，上桥的第一部分N颗芯片并联，上桥的第二部分N颗芯片并联，且上桥的第一部分N颗芯片与下桥第一部分N颗芯片串联，上桥的第二部分N颗芯片与下桥第二部分N颗芯片串联，最终形成全桥封装。
本实用新型多芯片并联的全桥封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多芯片并联的全桥封装结构，其特征在于，包括：DBC基板，DBC基板包括两组对称设置的铜箔区形成的电路层，单个所述铜箔区包括负极DC-铜箔、下桥的交流AC铜箔以及上桥的DC+铜箔；下桥的第一部分N颗芯片焊接在一个铜箔区的AC铜箔上，下桥的第二部分N颗芯片焊接在另一个铜箔区的AC铜箔上；上桥的第一部分N颗芯片连接于一个铜箔区的DC+铜箔上，上桥的第二部分N颗芯片连接于另一个铜箔区的DC+铜箔上；下桥的第一部分N颗芯片并联，下桥的第二部分N颗芯片并联，上桥的第一部分N颗芯片并联，上桥的第二部分N颗芯片并联，且上桥的第一部分N颗芯片与下桥第一部分N颗芯片串联，上桥的第二部分N颗芯片与下桥第二部分N颗芯片串联，以形成全桥封装。
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