日月光半导体制造股份有限公司赖弘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利电子元件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222952905U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421380809.7,技术领域涉及:H01F27/28;该实用新型电子元件是由赖弘伟;粘为裕;刘志明设计研发完成,并于2024-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子元件在说明书摘要公布了:本申请提出了一种电子元件,该电子元件包括导磁结构,具有对称设置的第一部分和第二部分;第一导电元件,自导磁结构的第一部分延伸至第二部分围绕设置;第二导电元件,自导磁结构的第一部分延伸至第二部分围绕设置,其中,第一导电元件绕制于第二导电元件外侧。通过以非正交的方式设计两组线圈的摆放以增加互感量,并且,在线圈中央嵌入导磁结构以使磁通闭合,达到两个线圈之间的高耦合效果,从而提高变压器的能量转换效率,不会产生电磁干扰问题而影响其他元件,以及,此变压器结构可以内埋于芯片或基板封装内,可以提高空间利用率,达到微小化的需求。
本实用新型电子元件在权利要求书中公布了:1.一种电子元件,其特征在于,包括:导磁结构,具有对称设置的第一部分和第二部分;第一导电元件,自所述导磁结构的第一部分延伸至第二部分围绕设置;第二导电元件,自所述导磁结构的第一部分延伸至第二部分围绕设置,其中,所述第一导电元件绕制于所述第二导电元件外侧。
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