北京怀柔实验室吴沛飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410740011.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件是由吴沛飞;魏晓光;李玲;刘瑞;张语;王耀华;唐新灵;焦倩倩;李立;姬世宇;黄志涛设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件在说明书摘要公布了：一种功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于功率半导体芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构表面具有一斜面结构，使得所述终端结构部分与所述芯片的第一主面形成一负角；在终端的斜面结构部分形成有截止环，所述截止环形成于第一半导体基区内部靠近终端边缘的一侧，并纵向延伸接触所述第一导电类型半导体区。本发明采用增加截止环将斜角终端需穿通的平面型PN结延伸至纵向结构，使得斜角终端结构的制备工艺无需严格考虑结深，增大了工艺窗口，提升了工艺良率，增强了器件的阻断电场的性能和耐压能力。
本发明授权功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体芯片的终端结构，其特征在于，所述终端结构位于功率半导体芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构至少具有一第一导电类型半导体区，和位于第一导电类型半导体区一侧的第一半导体基区，所述第一半导体基区具有第二导电类型，所述第二导电类型与第一导电类型相反；所述第一半导体基区表面具有一斜面结构，使得所述终端结构部分与所述功率半导体芯片的第一主面形成一负角；在终端结构形成有第一截止环，所述第一截止环形成于第一半导体基区内部靠近终端边缘的一侧，并纵向延伸至与所述第一导电类型半导体区连接，所述第一截止环具有第一导电类型。
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