江门双碳实验室刘雅杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江门双碳实验室申请的专利一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118724064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410716812.X，技术领域涉及：C01G39/06；该发明授权一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用是由刘雅杰;慕飞燕;邰志新设计研发完成，并于2024-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有硫空位点缺陷的过渡金属硫化物的制备方法及其应用。所述制备方法创造性地采用了一种分步式剥离技术即二次剥离技术实现制备具有硫空位点缺陷的少层二维材料，在二次剪切剥离过程中，剪切剥离在维持过渡金属硫化物的晶体结构的前提下，可实现材料层与层的分离和硫空位点缺陷的形成，制备得到的具有点缺陷的TMDs负极材料，有效促进了钠离子扩散，增加了钠离子的存储位点，从而使该材料在组装的钠离子电池中呈现出优异的电化学性能。采用剪切剥离技术制备具有点缺陷的TMDs的方法简易可行，适用于规模化生产制备，且制备的材料在动力电池和催化领域均具有较大的应用前景。
本发明授权一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种具有硫空位点缺陷的过渡金属硫化物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将过渡金属硫化物均匀分散于剥离溶剂中得到溶液；所述剥离溶剂选自水、乙醇、N-N二甲基甲酰胺、N-N二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种；S2.将S1制备得到溶液置于冰浴中进行第一次剪切剥离，将剥离完成的溶液静置，得到上层清液；所述第一次剪切剥离的转速范围为5000～6000rmin，时间为1～3h；S3.将S2得到的上层清液加入金属盐，在冰浴中进行第二次剪切剥离，将剥离完成的溶液进行洗涤、干燥，即得具有硫空位点缺陷的过渡金属硫化物；所述金属盐与上层清液的浓度比gL为30～50：1；所述第二次剪切剥离的转速范围为5000～6000rmin，时间为0.3～1h。
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