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龙图腾网获悉三江学院申请的专利一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410708230.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法是由吴启琴;沈克强;孙小羊;孔繁俊;葛年明设计研发完成，并于2024-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型超结SGTMOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，包括漏极接触金属层和源极接触金属层，以及设于两者之间的N+型衬底、超结区和隔离氧化层，超结区包括一个超结N柱区和两个下层超结P柱区，下层超结P柱区上方设有上层P柱区，上层P柱区内嵌装有P阱，P阱内嵌装有N+离子注入的源区；超结N柱区上方设有深沟槽，深沟槽中设有控制栅、屏蔽栅和栅氧化层。本发明进一步降低了导通电阻、提高了耐压值、调节了漂移区的电场分布、改善了控制栅中淀积的多晶硅的质量，并改善了电容效应，本申请提供的制备方法简化了新型超结SGTMOSFET器件的工艺步骤，节约了制造成本。

本发明授权一种新型超结SGT MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型超结SGTMOSFET器件，包括漏极接触金属层和与其连接的漏极，以及源极接触金属层和与其连接的源极；其特征在于：漏极接触金属层朝向源极接触金属层的一侧设有N+型衬底，N+型衬底朝向源极接触金属层的一侧设有超结区，超结区包括一个N柱和两个分别位于N柱两相对侧的P柱，P柱包括朝向源极接触金属层的上层P柱区和接触N+型衬底的下层超结P柱区，上层P柱区内嵌装有P阱，P阱内嵌装有N+离子注入的源区，上层P柱区与源极接触金属层之间设有隔离氧化层；N柱靠近源极接触金属层的一侧开设有深沟槽，深沟槽中设有控制栅和屏蔽栅，以及位于深沟槽侧壁和底部且隔离控制栅和屏蔽栅的栅氧化层；器件两侧具有贯穿隔离氧化层和N+离子注入的源区并延伸至P阱的孔，且该孔内设有P+离子注入区；源极接触金属层具有沿该孔连接至P+离子注入区的导电结构；N柱对齐于下层超结P柱区的部分形成超结N柱区，控制栅的底部呈倒等腰梯形，屏蔽栅的底部呈多阶梯形；深沟槽朝向漏极接触金属层的一侧与漏极接触金属层之间的间距不大于下层超结P柱区、超结N柱区靠近源极接触金属层一侧与漏极接触金属层之间的间距；N+离子注入的源区、P阱、上层P柱区及下层超结P柱区的宽度相同，N+离子注入的源区、P阱及上层P柱区朝向源极接触金属层的一侧对齐；上层P柱区、下层超结P柱区和超结N柱区的厚度相等；上层P柱区的掺杂浓度在2E15以下，下层超结P柱区和超结N柱区的掺杂浓度在5E15以上，且下层超结P柱区和超结N柱区满足交替互补的关系。

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