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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种叠层结构的级联氮化镓模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118712180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410648372.9，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种叠层结构的级联氮化镓模块是由江希;吴越;袁嵩;赵园芝;王佳杭;弓小武;胡清荣设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种叠层结构的级联氮化镓模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种叠层结构的级联氮化镓模块，包括：依次层叠且相对的第一基板、第二基板和双面印刷电路板；第一基板连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片；若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片沿对称轴对称分布，且相互并联；上桥臂增强型MOSFET芯片与若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；第二基板连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片；第一基板若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片与第二基板若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片一一相对设置，且第二基板若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片同样相互并联；下桥臂增强型MOSFET芯片与下桥臂若干耗尽型氮化镓芯片分别互连。该模块任意相邻两层功率回路的电流方向相反，减少了模块内部互连的寄生电感；并联氮化镓芯片之间寄生参数匹配一致，进一步提升了性能。

本发明授权一种叠层结构的级联氮化镓模块在权利要求书中公布了：1.一种叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，包括：第一基板100、第二基板200和双面印刷电路板300，所述第一基板100、所述双面印刷电路板300和所述第二基板200依次层叠且相对设置；所述第一基板100朝向所述双面印刷电路板300的表面通过焊盘连接有若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片和上桥臂增强型MOSFET芯片110；所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片沿对称轴对称分布，且相互并联；所述上桥臂增强型MOSFET芯片110位于所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片之间，且与所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；所述第一基板100表面的焊盘包括第一焊盘1、第二焊盘2、第三焊盘3、第四焊盘4、第五焊盘5、第六焊盘6、第七焊盘7、第八焊盘8和第九焊盘9，其中，所述第一焊盘1、所述第二焊盘2、所述第三焊盘3、所述第四焊盘4、所述第五焊盘5、所述第六焊盘6、所述第七焊盘7、所述第八焊盘8和所述第九焊盘9凹凸匹配；所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片在所述第五焊盘5上呈轴对称分布；所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片的衬底、栅极均与所述第五焊盘5连接，漏极均与所述第六焊盘6连接，源极分别与所述第一焊盘1、所述第二焊盘2、所述第三焊盘3、所述第四焊盘4一一对应连接，以实现所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片的并联；所述上桥臂增强型MOSFET芯片110的源极与所述第五焊盘5连接，栅极与所述第九焊盘9连接，漏极与所述第七焊盘7、所述第八焊盘8均连接；所述第六焊盘6连接第一功率端子Vdc+，所述第五焊盘5连接第一开尔文源极引脚KelvinSource1，所述第九焊盘9连接第一栅极引脚Gate1；所述第一焊盘1、所述第二焊盘2、所述第三焊盘3、所述第四焊盘4、所述第五焊盘5、所述第七焊盘7、所述第八焊盘8与所述双面印刷电路板300第一表面的若干焊盘对应连接，以将所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片分别与所述上桥臂增强型MOSFET芯片110互连；所述第二基板200朝向所述双面印刷电路板300的表面通过焊盘连接有若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片和下桥臂增强型MOSFET芯片210；所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片与所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片一一相对设置，且相互并联；所述下桥臂增强型MOSFET芯片210与所述上桥臂增强型MOSFET芯片110相对设置，且与所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；所述第二基板200表面的焊盘包括第十四焊盘14、第十五焊盘15、第十六焊盘16、第十七焊盘17、第十八焊盘18、第十九焊盘19、第二十焊盘20和第二十一焊盘21，其中，所述第十四焊盘14、所述第十五焊盘15、所述第十六焊盘16、所述第十七焊盘17、所述第十八焊盘18、所述第十九焊盘19、所述第二十焊盘20、所述第二十一焊盘21凹凸匹配；所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片的衬底和栅极均与所述第十四焊盘14连接，漏极分别与所述第十五焊盘15、所述第十六焊盘16、所述第十七焊盘17、所述第十八焊盘18一一对应连接，位于所述对称轴一侧的下桥臂耗尽型氮化镓芯片的源极均与所述第十九焊盘19连接，位于所述对称轴另一侧的下桥臂耗尽型氮化镓芯片的源极均与所述第二十焊盘20连接，以实现所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片的并联；所述下桥臂增强型MOSFET芯片210的源极与所述第十四焊盘14连接，栅极与所述第二十一焊盘21连接，漏极与所述第十九焊盘19、所述第二十焊盘20均连接，以将所述下桥臂增强型MOSFET芯片210与所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片分别互连；所述第十四焊盘14连接第二功率端子Vdc-和第二开尔文源极引脚KelvinSource2，所述第二十一焊盘21连接第二栅极引脚Gate2；所述第十五焊盘15、所述第十六焊盘16、所述第十七焊盘17、所述第十八焊盘18与所述双面印刷电路板300第二表面的焊盘连接；所述上桥臂增强型MOSFET芯片110与所述若干下桥臂耗尽型氮化镓芯片通过所述双面印刷电路板300表面的焊盘实现连接；所述第一基板100中功率回路的电流方向与所述双面印刷电路板300第一表面中功率回路的电流方向相反，所述双面印刷电路板300第一表面中功率回路的电流方向与所述双面印刷电路板300第二表面中功率回路的电流方向相反，所述双面印刷电路板300第二表面中功率回路的电流方向与所述第二基板200中功率回路的电流方向相反，所述第一表面朝向所述第一基板100，所述第二表面朝向所述第二基板200。

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