浙江格源新材料科技有限公司徐泉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江格源新材料科技有限公司申请的专利一种光解硅烷制备得到的硅碳负极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410636454.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种光解硅烷制备得到的硅碳负极及其制备方法是由徐泉;谷智强;张海文;谢菲设计研发完成，并于2024-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光解硅烷制备得到的硅碳负极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光解硅烷制备得到的硅碳复合材料，形貌为不规则形状，表面光滑，D50为6‑10μm，硅颗粒均匀分布在多孔碳的孔隙结构中，Si含量在30‑70wt％，其中非晶硅占比≥99.5wt％，所述硅颗粒是硅烷工艺气体在光敏剂存在下沉积在多孔碳的孔隙中。沉积是低温的光解条件下进行，能有效避免碳化硅的生成以及非晶硅转变促成晶体硅。并且硅的沉积更加均匀稳定，避免了硅颗粒的团聚和沉积在多孔碳的表面。通过控制光照的强度、时间和种类，可以精确控制硅烷的分解速度，形成细小的晶核，使得硅能够在多孔碳上均匀分布防止硅团聚，从而提高电池性能。
本发明授权一种光解硅烷制备得到的硅碳负极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光解硅烷制备得到的硅碳复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将多孔碳材料和光敏剂溶液置于反应器中，混合均匀，将光敏剂溶液的溶剂挥发干净，通入硅烷工艺气体，在光照条件下使硅烷光解均匀沉积在多孔碳孔隙中；所述硅烷工艺气体为含有C1-4烷基的硅烷；所述光敏剂选自芳香重氮盐、芳香酮类中的至少一种；光敏剂溶液中光敏剂浓度为1-5wt%；多孔碳、硅烷工艺气体、光敏剂的用量比例为1kg：800-1200L：10-50g；光照条件是光照波长300-600nm，光强100-500mWcm²；所述硅碳复合材料形貌为不规则形状，表面光滑，D50为6-10μm，硅颗粒均匀分布在多孔碳的孔隙结构中，Si含量为30~70wt%，其中非晶硅占比≥99.5wt%。
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