睿创光子(无锡)技术有限公司王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉睿创光子(无锡)技术有限公司申请的专利一种红外探测芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410484184.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种红外探测芯片及其制备方法是由王鹏设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外探测芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红外探测芯片及其制备方法，应用于红外探测器技术领域。该芯片包括焦平面阵列功能层和读出电路，二者通过倒装互联工艺结合；功能层核心为组分可调的InGaAsSb吸收层，可以完整地覆盖短波大气窗口波段1.0μm～3.0μm；功能层可以包括AlGaAsSb作为势垒层，提高器件性能；功能层需外延在GaSb衬底上，确保生长质量，然后通过相应的制备方法去除衬底，避免GaSb衬底对器件性能的影响。
本发明授权一种红外探测芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种红外探测芯片，其特征在于，包括功能层1和读出电路2；所述功能层1形成有相互分离的像元，形成焦平面阵列；所述读出电路2与所述焦平面阵列互联；所述功能层1包括作为吸收层11的InGaAsSb，所述功能层1的一侧具有去除衬底3时所形成的分离面，所述衬底3为与所述吸收层11相互匹配的GaSb；所述功能层1包括腐蚀终止层4，所述腐蚀终止层4表面形成有腐蚀所述衬底3后所形成的所述分离面；所述功能层1包括位于吸收层11背向所述腐蚀终止层4一侧的公共电极层5，所述腐蚀终止层4作为接触层6使用，所述功能层1设置有所述腐蚀终止层4一侧通过倒装与所述读出电路2互联，避免所述腐蚀终止层4设置在吸收层11吸收光线的光路中；所述公共电极层5背向所述功能层1一侧设置有透明基底7；从功能层1背向透明基底7一侧对功能层1进行刻蚀截止至公共电极层5，形成所述焦平面阵列；所述公共电极层5与所述透明基底7之间设置有增透膜8。
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