上海馨欧集成微电有限公司张丽萍获国家专利权
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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利声波谐振器结构、声波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118041281B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410112798.2，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权声波谐振器结构、声波器件及其制备方法是由张丽萍;吴进波设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本声波谐振器结构、声波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种声波谐振器结构、声波器件及其制备方法，通过在空气隙区正下方对应的压电晶体中设置压电常数矩阵内每个参数均与压电晶体的压电常数矩阵内相应参数互为相反数的极化区，能够有效降低甚至消除高阶横向杂散模式的激发，有效降低带内波动，减小通带的插入损耗和杂波干扰，实现平坦的通带响应；且方案简单，无需对叉指电极做变形，制备工艺简单，成功率较高，且良品率较高。
本发明授权声波谐振器结构、声波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种声波谐振器结构，其特征在于，所述声波谐振器结构包括：支撑衬底；压电层，所述压电层位于所述支撑衬底的上表面；图案化电极，所述图案化电极位于所述压电层的上表面，其中，所述图案化电极在声波传播方向上包括中央叉指区和位于所述中央叉指区两侧的反射栅区，在孔径方向上所述中央叉指区包括第一汇流条区、第一空气隙区、孔径区、第二空气隙区和第二汇流条区；极化区，所述极化区为对所述压电层的局部区域进行极化形成，其中，所述极化区的压电常数矩阵内每个参数均与所述压电层的未极化区的压电常数矩阵内相应参数互为相反数，其中，所述极化区包括设置在所述第一空气隙区正下方所对应的所述压电层中的第一极化区和设置在所述第二空气隙区正下方所对应的所述压电层中的第二极化区，且所述第一极化区与所述第二极化区对称分布。
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