纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司刘旭获国家专利权
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龙图腾网获悉纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司申请的专利一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116798877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310783169.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体是由刘旭;叶怀宇设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体；具体为在硅板上端面和下端面分别制备第一绝缘层；采用刻蚀工艺，对第一绝缘层进行刻蚀，使得绝缘层上形成多个间隔布设的刻蚀孔，向刻蚀孔内注入刻蚀液，使硅板上形成刻蚀槽；通过热氧化工艺在刻蚀孔内壁、刻蚀槽底部和侧壁上形成第二绝缘层；在第一绝缘层和第二绝缘层上制备牺牲层；在牺牲层上旋涂纳米金属浆料，并使得纳米金属浆料填充刻蚀槽和刻蚀孔，采用烧结工艺进行烧结，刻蚀槽和刻蚀孔形成金属探柱，牺牲层上形成导电层；清理牺牲层，分离出金属探柱和导电层，获得具有金属探柱的金属纳米烧结体；上述方法可以解决现有的方法获得金属柱体可靠性差、成本高，精确度低等的技术问题。
本发明授权一种用于晶圆封装的植柱方法及金属纳米烧结体在权利要求书中公布了：1.一种用于晶圆封装的植柱方法，其特征在于：包括如下步骤：在硅板1上端面和下端面分别制备第一绝缘层2；采用刻蚀工艺，对其中一第一绝缘层2进行刻蚀，使得绝缘层2上形成多个间隔布设的刻蚀孔3，向刻蚀孔3内注入刻蚀液，使硅板1上形成刻蚀槽4；通过热氧化工艺在刻蚀孔3内壁、刻蚀槽4底部和侧壁上形成第二绝缘层5；在第一绝缘层2和第二绝缘层5上制备牺牲层6；在牺牲层6上旋涂纳米金属浆料，并使得纳米金属浆料填充刻蚀槽4和刻蚀孔，采用烧结工艺进行烧结，刻蚀槽4和刻蚀孔形成金属探柱7，牺牲层6上形成导电层8；清理牺牲层，分离出金属探柱7和导电层8，获得具有金属探柱的金属纳米烧结体。
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