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九江德福科技股份有限公司张杰获国家专利权

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龙图腾网获悉九江德福科技股份有限公司申请的专利一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117004997B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310657007.X,技术领域涉及:C25D1/04;该发明授权一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途是由张杰;钟鸿杰;庞志君;杨红光;金荣涛设计研发完成,并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途,属于电解铜箔技术领域,以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结合层适配与构建。本发明方法生产的超低轮廓电解铜箔具有超低的表面轮廓度、微细粗糙化化组织、特殊形貌粗化组织、不含铁磁性金属含量、稳定的抗剥离性能、出色的信号完整性等典型特征;在加工覆铜板产品时,电解铜箔与树脂基材之间的结合强度也足够。且由于产品不含铁磁性金属含量,作为PCB产品的原料,从根本上消除铁磁性金属对信号传输的不利影响,保证信号的完整性。

本发明授权一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途在权利要求书中公布了:1.一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法,其特征在于:该方法分为以下步骤:S1、添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔;在酸性硫酸铜溶液中引入具有细化晶粒尺寸的光亮剂、具有增强添加剂在钛阴极浸润的走位剂以及改善铜箔电化学沉积均匀性的整平剂,通过以上3类添加剂的协调作用,通过直流电作用下电化学沉积在钛阴极的辊面生成具有超低轮廓毛面的生箔;所述光亮剂为硫脲、聚二硫二丙烷磺酸钠SPS、3-巯基丙烷磺酸钠MPS、烯丙基磺酸钠ALS中的一种或几种,电解液中光亮剂的含量介于5-10ppm之间;所述走位剂为聚乙二醇PEG、聚丙二醇PPG中的一种或几种,电解液中走位剂的含量介于10-20ppm之间;所述整平剂为明胶、胶原蛋白或羟乙基纤维素HEC,电解液中整平剂的含量介于10-20ppm之间;S2、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理及固化;选择S1中生成的超低轮廓生箔毛面为处理面,待开卷端放卷后将铜箔运行至含有添加剂的电解槽中进行微细粗糙化处理,超微细粗化处理后的电解铜箔经过水洗、挤干水分后转移至固化槽中进行固化处理;该微细粗糙化处理过程中使用的添加剂具体为钨磷酸钾,钼硅酸钠,钼磷酸钠,钼钴酸钠,硫代钼酸钠,硫代硅酸钠中的一种或几种;粗化电解液中添加剂的浓度介于10-30ppm之间;S3、零含量铁磁性功能层构建;为了提升电解铜箔在下游加工过程中的抗氧化性能,需要对电解铜箔的光面和毛面进行钝化处理,该处理过程不引入含有铁磁性的非铜金属元素,其中阻挡层中镍和钴铁磁性成分的含量为0mgm2,即构建零含量铁磁性功能层;S3.1双面电沉积含锌阻挡层;通过电化学沉积工艺依次在微细粗糙化铜箔的光面和毛面同时沉积含锌的阻挡层,严格控制毛面和光面的锌含量15-30gm2之间,提升铜箔的高温抗氧化性能;S3.2双面电沉积含铬钝化层;同时电沉积含铬的功能层,提升铜箔在室温条件下的耐候性;S4、化学结合层适配与构建;在超低轮廓电解铜箔的毛面构建化学结合层,有针对性地选择与树脂官能团匹配的硅烷偶联剂;将钝化处理后的铜箔运行至硅烷偶联剂处理槽,通过辊涂的方式在粗糙化和钝化处理后毛面涂覆化学结合层;以上工艺制得的产品即为HVLP超低轮廓电解铜箔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人九江德福科技股份有限公司,其通讯地址为:332000 江西省九江市开发区汽车工业园顺意路15号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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