买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国计量大学申请的专利介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310644059.3，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料及其制备和应用是由严微微设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料及其制备方法和在制备锂离子电池负极中的应用。介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料中，介孔空心碳纳米球的内部空腔中原位生长CoSnOH6纳米立方体，介孔空心碳纳米球的壳上分布有使壳通透的介孔通道，介孔通道中也存在CoSnOH6纳米立方体，介孔通道可阻止其上的以及介孔空心碳纳米球内部空腔里的CoSnOH6纳米立方体外泄。本发明通过水溶液高速离心注入的方法向介孔空心碳纳米球内填入硝酸钴，煅烧获得CoO，通过毛细作用将熔融态Na2SnO3·3H2O吸入介孔空心碳纳米球，通过熔融反应获得所述复合材料。

本发明授权介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料的制备方法，其特征在于，介孔空心碳纳米球的内部空腔中原位生长CoSnOH6纳米立方体，介孔空心碳纳米球的壳上分布有使壳通透的介孔通道，所述介孔通道中也存在CoSnOH6纳米立方体，所述介孔通道可阻止其上的以及介孔空心碳纳米球内部空腔里的CoSnOH6纳米立方体外泄；所述的介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料的制备方法包括步骤：（1）将介孔空心碳纳米球浸泡在硝酸钴水溶液中，静置得到黑色沉淀物，去除上层清液，余下混合物经10000-20000rpm转速多次离心后取沉淀干燥，干燥产物在惰性气体氛围中加热至440-460℃保温1.5-2.5h，得到CoO@介孔空心碳纳米球；（2）CoO@介孔空心碳纳米球和Na2SnO3·3H2O通过球磨混匀后在抽真空条件下加热到155-165℃并保温1.5-2.5h，然后冷却、洗涤、干燥，得到所述的介孔空心碳纳米球原位生长氢氧化锡钴纳米立方体复合材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国计量大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。