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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116285223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310485676.3，技术领域涉及：C08L63/00；该发明授权一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法是由柳伟平;丁文艺;冯宇钦;郑明杰;李桃生设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料，包括作为基体的高分子材料和作为掺杂组分的能够吸收中子的核素。所述核素为B、Sm和Gd。所述材料中，B2O3含量为0.1～3wt％，Sm2O3含量为0.1～5wt％，Gd2O3含量为0.1～5wt％。本发明通过增加掺入中子屏蔽相成分、调整比例等方法提高材料的中子屏蔽性能，最终通过实验优化，制备出一种兼具分散型、中子屏蔽能力、力学性能以及热稳定性高的高分子复合材料，为小型反应堆的高分子基中子屏蔽系统提供候选材料。

本发明授权一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料的制备方法，其特征在于，所述硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料包括作为基体的高分子材料和作为掺杂组分的能够吸收中子的核素，所述核素为B、Sm和Gd，所述材料中，B2O3含量为0.1～3wt%，Sm2O3含量为0.1～5wt%，Gd2O3含量为0.1～5wt%，所述高分子材料为聚酰亚胺，制备方法包括以下步骤：（1）采用乙烯基三甲氧基硅烷对B2O3、Sm2O3、Gd2O3纳米颗粒进行表面改性，得到改性掺杂混合物；表面改性的具体操作方式为：将B2O3、Sm2O3、Gd2O3纳米颗粒与去离子水混合，加NaOH调节溶液pH至10～11，得到纳米颗粒碱性水溶液，将乙烯基三甲氧基硅烷加入到纳米颗粒碱性水溶液中，乙烯基三甲氧基硅烷与纳米颗粒摩尔比为1～2:1，升温至70～80℃，搅拌2～3h，之后进行抽滤，滤饼在真空条件、80～100℃下干燥24～30h，得到改性掺杂混合物；（2）将改性掺杂混合物加入到二甲基乙酰胺中，得到改性掺杂混合液，改性掺杂混合物质量占改性掺杂混合液质量的1～10%；（3）将改性掺杂混合液加入到液态聚酰亚胺中，在60℃的氩气气氛下搅拌1～2h，得到涂膜液；（4）将涂膜液用涂膜器涂膜，之后高温干燥处理，再自然冷却至室温，得到所述硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料。

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