南京邮电大学李雯获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257896.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法是由李雯;陶奎;赵赳;沈筠皓;刘恺洋;仪明东设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，上层活性层由有机聚合物材料聚3‑己基噻吩‑2,5‑二基组成，下层活性层由非金属单质碳60组成。制备方法包括先在基底表面生长一层底电极，然后清洗并烘干，接着进行紫外臭氧处理，然后在真空蒸镀系统中蒸镀下层活性层碳60，在下层活性层上旋涂聚3‑己基噻吩‑2,5‑二基上层活性层，最后在真空蒸镀系统中蒸镀顶电极。本发明的异质结结构忆阻器在回扫电压和脉冲电压刺激下，具有多阻态特性，同时在特定脉冲电压下能够保持线性电导增长趋势。
本发明授权一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有线性连续电导变化的异质结忆阻器，其特征在于，由上至下依次包括顶电极、上层活性层、下层活性层、底电极和基底，所述上层活性层由有机聚合物材料聚3-己基噻吩-2,5-二基组成，所述下层活性层由非金属单质碳60组成；所述下层活性层的厚度为10～15nm；所述上层活性层和下层活性层的总厚度为35～40nm。
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