之江实验室;浙江大学汤孟博获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室;浙江大学申请的专利一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116572533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310259330.1,技术领域涉及:B29C64/386;该发明授权一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法及装置是由汤孟博;匡翠方;杨臻垚;王洪庆;詹兰馨;刘旭;李海峰设计研发完成,并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法,包括:基于最大刻写长度刻写的直线中选取粗细均匀且连续的线段,作为转镜的有效刻写长度;根据预设打印参数和有效刻写长度,计算获得打印平台的单次移动距离;根据预设打印参数,有效刻写长度以及单次移动距离,生成一个或多个连续垂直分布于转镜扫描平面的二维刻写数据文件;根据预设的刻写功率,二维刻写数据文件输入至三维阵列打印系统中,通过刻写激光对打印平台上的刻写材料进行循环输出,获得所述三维结构对应的阵列打印件。本发明还提供了一种激光直写打印方法。本发明提供的方法可以有效解决实际三维刻写过程中耗时过长的问题。
本发明授权一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种基于转镜的三维阵列打印系统的激光直写打印方法,其特征在于,所述三维阵列打印系统包括转镜,所述激光直写打印方法包括以下步骤:获取转镜单行扫描的最大刻写长度,并基于最大刻写长度刻写的直线中选取粗细均匀且连续的线段,作为所述转镜的有效刻写长度;根据预设打印参数与有效刻写长度,计算获得打印平台的单次移动距离,所述预设打印参数包括预设阵列的尺寸大小,阵列中单个刻写结构的尺寸大小,以及阵列中相邻刻写结构之间的间距,所述单次移动距离根据有效刻写长度与预设打印参数的计算过程如下:当所述有效刻写长度大于单个刻写结构的平面长度,且小于单个刻写结构的平面长度与相邻刻写结构间距之和时,则单次移动距离为有效刻写长度与相邻刻写结构间距之和;当所述有效刻写长度能被单个刻写结构的平面长度与相邻刻写结构间距之和整除时,则单次位移距离即为有效刻写长度;当所述有效刻写长度不能被单个刻写结构的平面长度与相邻刻写结构间距之和整除,则单次位移距离即为有效刻写长度允许范围之内,单个刻写结构的平面长度与相邻刻写结构间距之和的最大倍数;基于预设打印参数,有效刻写长度以及单次移动距离,对待打印的三维结构进行分层数据切割,生成一个或多个连续垂直分布于转镜扫描平面的二维刻写数据文件;根据预设的刻写功率,将一个或多个二维刻写数据文件输入至三维阵列打印系统中,通过刻写激光对打印平台上的刻写材料进行循环输出,获得所述三维结构对应的阵列打印件,所述刻写功率根据预设初始功率,单次补进功率以及功率步进次数,通过功率轮循的方式计算获得,所述功率轮循的具体过程如下:步骤1、设置初始功率,单次步进功率以及功率步进次数;步骤2、将待打印的二维刻写数据文件导入三维阵列打印系统中,采用步骤1设置的初始刻写功率对单个三维结构进行打印;步骤3、完成一次刻写操作后记录刻写全程功耗及耗时,并根据单次步进功率和功率步进次数,对三维阵列打印系统的当前功率进行一次调节,获得更新功率;步骤4、采用步骤3获得的更新功率通过三维阵列打印系统进行刻写,并记录刻写全程功耗及耗时;步骤5、重复步骤3至步骤4,直至完成功率步进次数,获得刻写功率集合;步骤6、筛选所述刻写功率集合中耗时较小的前三分之一,并选出筛选结果中刻写全程功耗最小的刻写功率,作为三维阵列打印系统最终的刻写功率。
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