华为技术有限公司焦慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种芯片老化方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118858879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410781985.X，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种芯片老化方法及装置是由焦慧芳;万军;朱国良;董伟;周雪设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片老化方法及装置在说明书摘要公布了：一种芯片老化方法及装置，老化装置与芯片的驱动电路连接，驱动电路包括倒相器和至少一个选择晶体管；该装置连接倒相器输入端和选择晶体管栅极，倒相器输出端连接选择晶体管漏极，选择晶体管源极以及倒相器的第二电源端接入低电压；倒相器的第一电源端接入高电压，该方法包括向倒相器输出用于在倒相器的输入输出之间形成直流电场的第一电平；或向倒相器输出用于控制第一电源端与输出端导通的第二电平，并向选择晶体管的栅极输出用于在选择晶体管源漏极之间形成直流电场的第三电平，从而使得存在质量问题的驱动电路经加速老化后失效，避免出厂后因驱动电路发生介质经时击穿或热载流子退化，而导致芯片发生行或多行失效。
本发明授权一种芯片老化方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片老化方法，其特征在于，由老化装置执行，所述芯片的驱动电路包括倒相器、地位译码器和至少一个选择晶体管；所述地位译码器的第一端与所述老化装置连接；所述地位译码器的第二端分别与所述至少一个选择晶体管的栅极连接；所述倒相器的输入端与所述老化装置连接，所述倒相器的输出端与所述至少一个选择晶体管的漏极连接；所述倒相器的第一电源端接入高电压；所述倒相器的第二电源端、以及每个选择晶体管的源极接入低电压；所述老化方法包括：向所述倒相器输出第一电平，其中，所述第一电平用于在所述倒相器的输入端和输出端之间形成直流电场；或者，所述老化方法包括：向所述倒相器输出第二电平，其中，所述第二电平用于控制所述第一电源端与所述输出端之间的通路导通；并控制所述地位译码器向所述选择晶体管的栅极输出第三电平，其中，所述第三电平用于在所述选择晶体管的源漏极之间形成直流电场。
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