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龙图腾网获悉豪威科技(北京)股份有限公司申请的专利一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116389896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310181094.6，技术领域涉及：H04N23/65；该发明授权一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置是由李文杰;旷章曲;刘志碧设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置，包括探测模块detectingpixel、开关电容放大器OPAMP、光变强检测模块、光变弱检测模块、逻辑模块，一个或多个探测模块设置在CMOS图像传感器阵列所划分的多个区域的中心位置；感知输出电压Vdet_out通过开关电容放大器进行放大处理；输出电压amp_out再连接至光变强检测模块和光变弱检测模块；光变强信号High_out和光变弱信号Low_out均连接至逻辑模块；当外部系统检测到唤醒信号wakeup为高电平时，立即进行唤醒CMOS图像传感器阵列的操作。上述唤醒装置功耗低，而且不需要大型的数据运算和存储单元，能有效提高唤醒效率。

本发明授权一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置在权利要求书中公布了：1.一种可嵌入CMOS图像传感器阵列的唤醒装置，其特征在于，所述装置包括探测模块detectingpixel、开关电容放大器OPAMP、光变强检测模块、光变弱检测模块、逻辑模块，其中：一个或多个探测模块detectingpixel设置在CMOS图像传感器阵列所划分的多个区域的中心位置；所述探测模块detectingpixel用于感知光线变化，且所述探测模块detectingpixel的输出端用金属线连在一起，最终得到感知输出电压Vdet_out；感知输出电压Vdet_out通过所述开关电容放大器OPAMP进行放大处理，放大增益为CsCf，其中，Cs为采样电容，Cf为反馈电容；输出电压为amp_out；输出电压amp_out再连接至所述光变强检测模块和光变弱检测模块，由所述光变强检测模块和光变弱检测模块根据所述输出电压amp_out来区分光线是变强还是减弱，并由所述光变强检测模块输出光变强信号High_out，由所述光变弱检测模块输出光变弱信号Low_out；所述光变强信号High_out和光变弱信号Low_out均连接至所述逻辑模块，由所述逻辑模块根据光变强信号High_out和光变弱信号Low_out生成相应的唤醒信号wakeup，并根据唤醒信号wakeup的状态生成复位信号reset；其中，所述复位信号reset用于将装置重置到一个初始态，以等待下次唤醒；当CMOS图像传感器芯片检测到唤醒信号wakeup为高电平时，立即进行唤醒所述CMOS图像传感器阵列的操作；当检测到唤醒信号wakeup长时间处在低电平时，就使所述CMOS图像传感器阵列进入休眠或低功耗模式。

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