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长鑫存储技术有限公司杨桂芬获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其布线方法和半导体存储器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115995450B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310085369.6,技术领域涉及:H01L23/528;该发明授权一种半导体结构及其布线方法和半导体存储器是由杨桂芬;李明浩;张凤琴设计研发完成,并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体结构及其布线方法和半导体存储器在说明书摘要公布了:本公开实施例提供了一种半导体结构及其布线方法和半导体存储器,该半导体结构包括:多种布线,布线包括第一布线、第二布线,以及第三布线,第一布线与第二布线的属性相同,第三布线与第一布线的属性不同;第一布线和第二布线分别形成于不同的金属层,且第一布线的正投影和第二布线的正投影至少部分交叉或部分重叠;第三布线或者第三布线的正投影位于第一布线的一侧。这样,不仅可以减小布线之间的距离,而且还能够减小不同金属层之间的耦合串扰,进而节省版图空间。

本发明授权一种半导体结构及其布线方法和半导体存储器在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:多种布线,所述布线包括第一布线、第二布线,以及第三布线,所述第一布线与所述第二布线的属性相同,所述第三布线与所述第一布线的所述属性不同;所述第一布线和所述第二布线分别形成于不同的金属层,且所述第一布线的正投影和所述第二布线的正投影至少部分交叉或部分重叠;所述第三布线或者所述第三布线的正投影位于所述第一布线的一侧;其中,所述属性包括信号流向,所述第一布线和所述第二布线的信号流向均为第一方向,所述第三布线的信号流向为第二方向,所述第一方向和所述第二方向互为相反方向;或者,所述属性包括数据类型,所述第一布线和所述第二布线传输的数据类型均为第一值,所述第三布线传输的数据类型为第二值,所述第一值为0或1中的一者,所述第二值为0或1中的另一者。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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