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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116086913B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310057800.6，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法是由屈哲;刘永来;许锡童设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法，包括以下步骤：蚀刻步骤：将待蚀刻的单晶样品抛光打磨至光滑平整面，打磨后的单晶样品通过导电碳胶黏贴在FIB双束系统的载物台上，按照沉积保护层、上下挖槽、粗削、切U型槽、精修、削非晶的顺序，得到目标样品薄片S；取样步骤：取下FIB双束系统的载物台上的单晶样品，将该样品通过碳胶黏贴于三轴取样载物台上，并在单晶样品表面覆盖一层PDMS凝胶，之后下探针，挤压薄片样品S使其侧边的连接处自然断裂，且自然吸附在PDMS凝胶上；将薄片样品转移至标准电极衬底上转移步骤；以及沉积步骤。本发明能够快速准确的制备出优良的目标样品，以供后续研究使用。

本发明授权一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法在权利要求书中公布了：1.一种介观尺寸下FIB样品转移至衬底进行输运测量的方法，其特征在于，包括以下步骤：蚀刻步骤：将待蚀刻的单晶样品抛光打磨至光滑平整面，打磨后的单晶样品通过碳胶黏贴在FIB双束系统的载物台上，按照沉积保护层、上下挖槽、粗削、切U型槽、精修、削非晶的顺序，得到目标样品薄片S；取样步骤：取下FIB双束系统的载物台上的单晶样品，将该样品通过碳胶黏贴于三轴取样载物台上，并在单晶样品表面覆盖一层PDMS凝胶，之后下探针，挤压薄片样品S使其侧边的连接处自然断裂，且自然吸附在PDMS凝胶上；转移步骤：当单晶样品表面被捕获到样品薄片后，揭下PDMS凝胶，粘贴至载玻片上，并将载玻片连同金属夹片固定到转移台上方夹片安放处，在薄片转移装置上将薄片样品S转移至电极衬底上，且静置后取走金属夹片；沉积步骤：将准备好的电极衬底放入FIB真空腔室内，利用聚焦离子束在薄片样品与电极接触的地方沉积设定金属，然后利用FIB将薄片样品刻蚀成所需的图案进行测试，在蚀刻步骤中，样品薄片S以竖立姿态位于单晶样品的挖槽中，且样品薄片S仅通过侧边的连接处与单晶样品连接，其他位置断开。

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