深圳市埃芯半导体科技有限公司韩玉永获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116124018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310017942.X，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质是由韩玉永;张雪娜;王帅;洪峰;张宇帆设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请适用于薄膜制造技术领域，提供了一种薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据薄膜的理论数据信息和第一模拟数据信息得到薄膜的第一膜厚后，还根据第一膜厚进行以下处理：先根据第一膜厚和待拟合比例值，得到薄膜的第二膜厚，然后根据第二膜厚以及薄膜的光学常数，得到薄膜的第二模拟数据信息，最后根据上述理论数据信息和上述第二模拟数据信息进行拟合，得到薄膜的各个待测点位的第三膜厚，从而，可以在对薄膜的膜厚进行测量时，充分考虑薄膜的各个待测点位的关联性，提高薄膜的膜厚测量的准确性，从而解决因忽略了不同点位之间存在一定关联性，导致薄膜膜厚的测量结果不够准确的问题。
本发明授权薄膜膜厚的测量方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种薄膜膜厚的测量方法，其特征在于，所述方法包括：针对薄膜的各个待测点位，分别采集椭圆偏振光谱，根据所述椭圆偏振光谱得到所述薄膜的各个待测点位的理论数据信息；根据所述薄膜的各个待测点位的初始膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第一模型，并计算所述第一模型的各个待测点位的第一模拟数据信息；根据所述理论数据信息和所述第一模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第一膜厚；根据所述第一膜厚和所述薄膜的各个待测点位的待拟合比例值，得到所述薄膜的各个待测点位的第二膜厚，所述待拟合比例值用于指示所述各个待测点位的关联性，所述待拟合比例值的初始值为1；根据所述第二膜厚以及所述薄膜的光学常数，构建所述薄膜的第二模型，并计算所述第二模型的各个待测点位的第二模拟数据信息；根据所述理论数据信息和所述第二模拟数据信息进行拟合，得到所述薄膜的各个待测点位的第三膜厚。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市埃芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙华区观澜街道库坑社区库坑观光路1310号喷油车间6栋101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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