西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司杨松获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利晶体生长装置和确定引晶埚位的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115807259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211612860.1，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权晶体生长装置和确定引晶埚位的方法是由杨松;张鹏举;余崇江设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体生长装置和确定引晶埚位的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶体生长装置，包括：炉体；坩埚，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于坩埚的外围，以对坩埚进行加热；保温层，设置于加热器结构的外围；导流筒，呈桶状并沿竖直方向设置在炉体内的硅熔液的上方；导流筒升降结构，设置于炉体的顶部，用于控制导流筒的升降，并使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方向上始终具有间隙。本发明还涉及一种确定引晶埚位的方法。通过导流筒升降结构控制导流筒的升降，并使得导流筒和保温层之间在炉体的轴向方向上始终具有间隙，相对于传统技术中，导流筒支撑于保温层顶端，解决保温层形变造成的导流筒的位置发生变化的问题，保证液面位置和导流筒之间的相对位置关系的稳定。
本发明授权晶体生长装置和确定引晶埚位的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：炉体；坩埚，设置于所述炉体内部，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于所述坩埚的外围，以对所述坩埚进行加热；保温层，设置于所述加热器结构的外围；导流筒，沿竖直方向设置在所述炉体内的所述硅熔液的上方；导流筒升降结构，设置于所述炉体的顶部，用于控制所述导流筒的升降，并使得所述导流筒和所述保温层之间沿所述炉体的轴向方向上始终具有间隙；所述保温层靠近所述炉体的顶部的一端设置有盖板，所述导流筒和所述盖板之间始终具有间隙。
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