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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505065.2，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法是由程健;杨丁槐;陈明君;赵林杰;刘赫男;王景贺;刘志超;王健;许乔设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法，属于工程光学技术领域。为解决现有技术中对紫外光学元件激光诱导微结构的形成理论及工艺技术尚不完善，需要通过大量探索性实验对紫外光学元件激光诱导周期性结构进行研究的问题。通过对紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成机理的理论分析，通过设置等密度的离子点群建立高功率激光辐照下元件加工表面模型，采用二维分布的高斯型飞秒激光模型，基于麦克斯韦方程、牛顿‑洛伦兹方程研究了短脉冲激光与紫外光学元件表面的相互作用过程中等离子体的运动行为规律，模拟了紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成。通过本发明方法可准确模拟紫外光学元件激光诱导周期性结构的形成。

本发明授权一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法在权利要求书中公布了：1.一种紫外光学元件激光诱导周期性结构的预测方法，其特征在于包括如下步骤：步骤一、确定高功率激光辐照条件下紫外光学元件表面发生电离的基态电子类型；步骤二、根据紫外光学元件的晶格结构计算元件加工表面发生电离的基态电子密度；步骤三、通过设置等密度的离子点群以建立高功率激光辐照下紫外光学元件加工表面模型；每个离子点包含两个等电荷量的正、负离子；当原子未发生电离时，正离子代表原子核，负离子代表核外电子；当原子发生电离时，正离子代表阳离子，而负离子代表电离产生的多个自由电子；根据计算精度需求选择模型中离子点的电量比，根据电量比及步骤二得到的发生电离的基态电子密度，确定模型中的正、负离子密度及正、负离子电荷量；所述电量比为的表达式为：N＝ne1其中，ne为元件表面发生电离的基态电子密度，n为模型中的正、负离子密度；步骤四、在所述紫外光学元件加工表面模型中建立激光模型，所述激光模型为激光电场分量的模型，并对所述激光模型进行求解得到激光电场强度；步骤五、确定离子点受力的时间步长；步骤六、以单点激光与紫外光学元件相互作用时间为阈值；求取离子点群的电场强度，并与步骤四得到的激光电场强度复合，计算各正、负离子处的电磁场强度、所受电场力及运动速度，根据确定的时间步长、所受电场力和运动速度计算各正、负离子下一刻位置，依次进行迭代计算，至累积运动时间达到阈值停止，得到紫外光学元件激光诱导周期性结构形貌；步骤七、对紫外光学元件激光诱导周期性结构进行提取并分析，确定单点激光加工形成的微结构形貌。

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