浙江大学杭州国际科创中心盛况获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211417255.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件是由盛况;王宝柱;王珩宇;任娜设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件在说明书摘要公布了：本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在复合衬底形成图案化的保护层，并得到第一通道及堆叠的第一介质层及第二介质层，第一介质层、第二介质层及第一通道具有第一掺杂类型，保护层具有第二掺杂类型，保护层贯穿第二介质层，第一通道贯穿保护层；形成沿第二介质层背离第一介质层的方向依次设置的第三介质层、沟道层及第一源接触区，第三介质层和第一源接触区具有第一掺杂类型，沟道层具有第二掺杂类型；及形成栅氧结构，栅氧结构贯穿第一源接触区和沟道层，并至少延伸入第三介质层，栅氧结构与保护层堆叠并与第一通道堆叠。该方法可简单容易地制造沟槽型绝缘栅场效应管，实现嵌套在第三介质层下侧的保护层。
本发明授权沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件在权利要求书中公布了：1.一种用于制造沟槽型绝缘栅场效应管的方法，其特征在于，包括：在复合衬底形成图案化的保护层，并得到第一通道以及堆叠的第一介质层及第二介质层，其中，所述第一介质层、所述第二介质层及所述第一通道分别具有第一掺杂类型，所述保护层具有第二掺杂类型，所述保护层贯穿所述第二介质层，所述第一通道贯穿所述保护层；形成沿所述第二介质层背离所述第一介质层的方向依次设置的第三介质层、沟道层及第一源接触区，其中，所述第三介质层和所述第一源接触区具有所述第一掺杂类型，所述沟道层具有所述第二掺杂类型；以及形成栅氧结构，其中，所述栅氧结构贯穿所述第一源接触区和所述沟道层，并至少延伸入所述第三介质层，所述栅氧结构与所述保护层堆叠并与所述第一通道堆叠。
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