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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利OPC修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115576168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211343909.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC修正方法是由赵宝燕;陈翰;张辰明设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本OPC修正方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种OPC修正方法，包括：根据硬掩模转移特性准备硬掩模上的OPC测试图形，使用该硬掩模对晶圆进行光刻，并根据光刻图形数据建立第一模型；输入初始金属层；提供标准模型和第二模型；依次使用标准模型和第二模型对初始金属层进行OPC修正，以得到修正后的金属层；从修正后的金属层中挑选出对第一模型敏感的图形作为第一图形，受第一模型影响较小的图形作为第二图形，剩余的初始金属层作为第三图形；使用第一模型对第一图形进行OPC修正得到第四图形；使用第一模型对第二图形进行OPC修正得到第五图形；使用标准模型对第四图形和第五图形进行OPC修正；第三图形、第四图形和第五图形作为修正后的目标图形。

本发明授权OPC修正方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括：S1：根据硬掩模转移特性准备硬掩模上的OPC测试图形，使用该硬掩模对晶圆进行光刻，收集所述晶圆上的光刻图形数据，并根据所述光刻图形数据建立第一模型；S2：输入初始金属层；S3：提供标准模型和第二模型，所述第二模型相对于所述标准模型，对聚焦和光刻能量均进行了偏移；S4：依次使用所述标准模型和所述第二模型对所述初始金属层进行OPC修正，以得到修正后的金属层；S5：从修正后的金属层中，挑选出对所述第一模型敏感的图形，作为第一图形，挑选出受所述第一模型影响较小的图形，作为第二图形，将剩余的所述初始金属层作为第三图形；S6：使用所述第一模型对所述第一图形进行OPC修正，以得到第四图形；S7：使用所述第一模型对所述第二图形进行OPC修正，以得到第五图形；S8：使用所述标准模型对所述第四图形和所述第五图形进行OPC修正；S9：对第三图形、第四图形和第五图形使用第一模型、标准模型和第二模型进行验证，如果均满足第一模型、标准模型和第二模型的规格，则所述第三图形、第四图形和第五图形作为修正后的目标图形；所述第一图形包括线条间距在45nm～60nm，并且，受到圆角效应影响且具有上通孔层和或下通孔层的图形；使用所述第一模型对所述第一图形进行OPC修正的次数为1次～3次，修正量为-3nm～3nm；使用所述第一模型对所述第二图形进行OPC修正的次数为1次～2次，修正量为-1.5nm～1.5nm。

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