华东光电集成器件研究所宋东方获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115611231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211341952.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法是由宋东方;白建新;王得收;程梦祥设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取SOI硅片和玻璃片；2）对SOI硅片与玻璃进行清洗；3）阿金SOI硅片和玻璃片贴合在一起，并将SOI硅片的部分键合层裸露在玻璃片之外；4）将玻璃片与电源负极连通，将键合层与电源正极连通，将器件层与电源零位连通。本发明操作简单、步骤简要，无需考虑SOI硅片绝缘埋层厚度和SOI硅片器件层离子分布不受阳极键合影响，键合电压不会击穿SOI硅片的绝缘埋层。
本发明授权一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI硅片与玻璃的晶圆级键合方法，其特征在于：它包括以下步骤：1）取一片SOI硅片（1）和至少一片玻璃片（2），SOI硅片（1）上具有绝缘埋层（1a）；2）对SOI硅片（1）与玻璃片（2）进行表面处理；3）将SOI硅片（1）和玻璃片（2）对齐贴合在一起，而后将SOI硅片或玻璃片（2）旋转一定角度，将SOI硅片（1）部分贴合面裸露在玻璃片（2）之外，该贴合面为键合层（1b）,SOI硅片（1）或玻璃片（2）水平旋转90度，使得SOI硅片（1）和玻璃片（2）上的两个切口（a）成90度分布；4）将SOI硅片（1）和玻璃片（2）放置于键合设备中，在玻璃片（2）上连接有点状电极（9），在点状电极（9）外侧的玻璃片（2）上覆盖有平板电极（10），点状电极（9）和平板电极（10）具与电源负极（4）连通；将键合层（1b）与电源正极（3）连通，而后进行键合,键合时键合温度提升为350~400℃，真空度保持为0.1Pa~1Pa，键合压力为300~500N，键合电压为600~800V，时间为5~10min，键合电流为13~15mA。
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