华东光电集成器件研究所曹卫达获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115626606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211341930.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法是由曹卫达;黄斌;宋东方;赵娟;丁景兵;丁艳丽设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。
本发明授权一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制备浅腔和隔离槽，在浅腔内制备出第一氧化层（4），在氧化层（4）上第一SOI晶圆上制备有第二氧化层（5）；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分（331）；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分（332）；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构;所述步骤S2中采用Bosch工艺刻蚀，采用钝化气体为C4F8、预刻蚀气体为SF6、刻蚀气体为SF6、刻蚀循环数为40-45次，刻蚀形成的下梳齿的第一部分（331）其剖面形状是倒梯形;所述S3中采用Bosch工艺刻蚀，采用钝化气体为C4F8、预刻蚀气体为SF6、刻蚀气体为SF6、刻蚀循环数为135-140次，刻蚀形成的下梳齿的第二部分（332）其剖面形状是矩形。
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