华东光电集成器件研究所王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115893302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211341951.6，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构是由王鹏;王文婧;赵娟;赵斌;刘武博设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。
本发明授权一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种热隔离MEMS芯片制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、取硅晶圆（1），在硅晶圆（1）的正、背两面分别制备有第一、二隔热介质膜（2、3）；S2、在硅晶圆（1）背面形成一定深度的槽体（4）；S3、硅晶圆（1）正、背两面上分别制备有氧化层（5），位于硅晶圆1背面的氧化层（5）覆盖槽体（4）的侧壁和底面；S4、去除硅晶圆（1）下表面和槽体（4）底面的氧化层（5），保留槽体（4）侧壁上的氧化层（5）；S5、硅晶圆1进行湿法腐蚀，从槽体（4）底面向内腐蚀出内腔（6），内腔（6）顶部开口与第一隔热介质膜（2）相连；S6、对S5步骤加工好的晶圆正面进行涂胶保护，进行湿法腐蚀去除槽体（4）侧壁上的氧化层（5），完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备;硅晶圆（1）正面和背面上都依次设有第一隔热介质膜（2）和第二隔热介质膜（3），在硅晶圆（1）正面的第二隔热介质膜（3）上设有氧化层（5），在硅晶圆（1）背面上设有变径孔（7），变径孔（7）的顶部开口与硅晶圆（1）正面的第一隔热介质膜（2）连通。
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