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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115676772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211341061.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法是由周宁;喻磊;赵井宇;朱丽设计研发完成，并于2022-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，包括：a.在密闭腔室内抽真空度达到1Pa‑1.2Pa，温度40℃‑50℃；使MEMS器件的静电荷向介质层表面积聚；b.通入温度为40℃‑50℃的氮气和气态酒精的混合气体，使之与介质层表面充分接触，去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.通入温度为40℃‑50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后通入氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。本发明利用气体清洗的方式去除MEMS器件中积累的电荷，避免了MEMS器件电极之间发生漏电，提高了MEMS器件电极之间的绝缘电阻，提升MEMS器件的成品率和长期可靠性。

本发明授权一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法在权利要求书中公布了：1.一种去除MEMS芯片静电荷累积的方法，其特征在于包括以下步骤：a.将制作有MEMS器件结构的晶圆放置在密闭腔室内，密闭腔室抽真空度达到1Pa-1.2Pa，升高腔室温度至40℃-50℃；使晶圆温度升高后MEMS器件中介质层的静电荷逐渐向介质层表面积聚；b.在密闭腔室内通入温度为40℃-50℃的氮气和气态酒精的混合气体，混合气体流量为：氮气1000sccm，气态酒精200sccm，通入时间为300s，使混合气体与介质层表面充分接触后，通过排气口排出腔室内气体；重复循环上述操作2次，利用氮气和气态酒精的混合气体去除晶圆介质层表面吸附的水蒸气颗粒；c.在密闭腔室内通入温度为40℃-50℃的氮气、气态酒精和气态氟化氢的混合气体，将MEMS器件结构中介质层剥除一定的厚度；然后在密闭腔室内通入氮气，利用氮气将腔室内的残余气态氟化氢气体完全排除干净；d.在真空环境下将去除积累电荷后的MEMS器件与硅盖板之间进行真空密封封装。

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