武汉大学何时旻获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利基于双站信号反演低电离层D层探测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115586580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211182896.0，技术领域涉及：G01V3/12；该发明授权基于双站信号反演低电离层D层探测方法是由何时旻;刘默然;周晨设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双站信号反演低电离层D层探测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于双站信号反演低电离层D层探测方法，具体涉及低电离层探测技术领域，使用磁环天线接受来自双通讯台站的VLF信号，采样频率为1MHz；S2.经过滤波放大8000倍后，根据电磁感应定律将接收到的电信号转换为磁信号，再利用麦克斯韦方程组，将磁信号转化为以dBμ为单位的电信号；S3.发射天线角度、高度，与路径信息，得到各个锐度β以及虚高H’值对应的到达相位差信息表；S4.查表得实测与模拟信号的相位最接近点的锐度β以及虚高H’值，得到路径低电离层信息，本发明可以实现任意时刻的电离层D层精确探测，解决幅值定位中的多值问题，进一步提高电离层D层探测精度。
本发明授权基于双站信号反演低电离层D层探测方法在权利要求书中公布了：1.基于双站信号反演低电离层D层探测方法，其特征在于，步骤如下：S1.使用磁环天线接受来自双通讯台站的VLF信号，采样频率为1MHz；S2.经过滤波放大后，根据电磁感应定律将接收到的电信号转换为磁信号，再利用麦克斯韦方程组，将磁信号转化为电信号；S3.发射天线角度、高度，与路径信息，得到各个锐度β以及虚高H’值对应的到达相位差信息表；S4.查表得实测与模拟信号的相位最接近点的锐度β以及虚高H’值，得到路径低电离层信息。
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