北海惠科半导体科技有限公司李京兵获国家专利权
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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利光刻套准方法及芯片制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115291484B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210976828.5,技术领域涉及:G03F9/00;该发明授权光刻套准方法及芯片制作方法是由李京兵;石晓宇;王国峰设计研发完成,并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻套准方法及芯片制作方法在说明书摘要公布了:本申请适用于芯片制造技术领域,提出一种光刻套准方法,包括:将晶圆放置于光刻机的载台上,将光刻版放置于光刻机的载盘上,晶圆包括多个曝光区,每个曝光区内设有第一对位标记,光刻版上设有套准标记;将光刻版与晶圆进行粗对准;移动光刻版,以使套准标记与第一对位标记精细对准;将光刻版移动第一预设距离,第一对位标记与套准标记相错开,以利用光刻版对晶圆进行光刻。上述光刻套准方法能够实现多层图案层的套准,节省标记占用的芯片以及提高芯片生产量。本申请还提供了一种芯片制作方法。
本发明授权光刻套准方法及芯片制作方法在权利要求书中公布了:1.一种光刻套准方法,其特征在于,包括:将晶圆放置于光刻机的载台上,将光刻版放置于所述光刻机的载盘上,所述晶圆包括多个曝光区,每个所述曝光区内设有第一对位标记,所述光刻版上设有套准标记;将所述光刻版与所述晶圆进行粗对准;移动所述光刻版,以使所述套准标记与所述第一对位标记精细对准;将所述光刻版移动第一预设距离,所述第一对位标记与所述套准标记相错开,以利用所述光刻版对所述晶圆进行光刻;其中,每个所述曝光区内还设有多个阵列排布的管芯、多个第一划片道和多个第二划片道,所述第一划片道设于相邻两行所述管芯之间,所述第二划片道设于相邻两列所述管芯之间,所述第一对位标记设于所述第一划片道与所述第二划片道的交点处,所述管芯待形成图案层的层数为N,N为大于0的正整数,所述光刻机用于通过反射波识别所述第一对位标记,且所述光刻机具有可识别区域,所述可识别区域内的所述第一划片道和所述第二划片道的交点的数量为M,M为大于0的正整数,M与N满足以下条件:M<2N。
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