美光科技公司N·S·斯里拉姆获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利半频存储器装置中的重影命令抑制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116052739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210897944.8，技术领域涉及：G11C8/06；该发明授权半频存储器装置中的重影命令抑制是由N·S·斯里拉姆;K·马组德尔设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半频存储器装置中的重影命令抑制在说明书摘要公布了：本申请案涉及半频存储器装置中的重影命令抑制。存储器装置包含命令接口，所述命令接口经配置以经由多个命令地址位从主机装置接收双循环命令。所述存储器装置还包含命令解码器，其经配置以在所述双循环命令的第一循环中对所述多个命令地址位的第一部分进行解码。所述命令解码器包含掩模电路系统。所述掩模电路系统包含经配置以生成掩模信号的掩模生成电路系统。所述掩模电路系统还包含多路复用器电路系统，其经配置以应用所述掩模信号以阻止所述命令解码器在所述双循环命令的第二循环中解码所述多个命令地址位的第二部分。
本发明授权半频存储器装置中的重影命令抑制在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括：命令接口，其经配置以经由多个命令地址位从主机装置接收双循环命令；及命令解码器，其经配置以在所述双循环命令的第一循环中对所述多个命令地址位的第一部分进行解码，且包括掩模电路系统，其包括：掩模生成电路系统，其经配置以生成掩模信号；及多路复用器电路系统，其经配置以应用所述掩模信号以阻止所述命令解码器在所述双循环命令的第二循环中解码所述多个命令地址位的第二部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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