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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种碳化硅场效应管器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210833725.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种碳化硅场效应管器件的制作方法是由陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅场效应管器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅场效应管器件的制作方法，包括：步骤S1，提供沉积有外延层的碳化硅衬底并于外延层上分别沉积形成第一、第二硬掩膜，随后离子注入得到两处阱区；步骤S2，于第一、第二硬掩膜上沉积第三硬掩膜，并于第三硬掩膜上光刻图形，随后去除第一硬掩膜周围的第三硬掩膜并于侧壁形成侧墙；步骤S3，沿侧墙形成两处源区区域；步骤S4，去除第一、第二、第三硬掩膜，并沉积第四硬掩膜覆盖两处源区区域，随后刻蚀P+接触区；步骤S5，形成栅极、源极。有益效果是本方法通过沉积ONO介质的第三硬掩模进行源区区域刻蚀，把不需要源区注入的阱区屏蔽起来，使场效应管器件所有区域的基区串联电阻几乎一致，避免了器件中雪崩耐量较低的点。

本发明授权一种碳化硅场效应管器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅场效应管器件的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤:步骤S1，提供沉积有外延层的一碳化硅衬底并沿所述外延层的长度方向于所述外延层上沉积一硬掩膜，随后使用第一掩膜版于所述硬掩膜刻蚀得到第一硬掩膜和第二硬掩膜，进行离子注入得到两处阱区；步骤S2，于所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜上沉积一第三硬掩膜，并使用第二掩膜版于所述第三硬掩膜上光刻图形，随后沿所述图形去除所述第一硬掩膜周围的所述第三硬掩膜并于所述第一硬掩膜的侧壁形成侧墙；步骤S3，分别以所述第一硬掩膜两侧的所述侧墙和所述第三硬掩膜的刻蚀截面为掩膜进行源区离子注入形成两处源区区域；步骤S4，去除所述第一硬掩膜、所述第二硬掩膜和所述第三硬掩膜，并沉积一第四硬掩膜覆盖两处所述源区区域，随后使用第三掩膜版于所述第四硬掩膜的一侧刻蚀，进行离子注入得到一P+接触区；步骤S5，于两处所述源区区域和所述P+接触区上方分别形成所述碳化硅场效应管器件的栅极和源极，并于所述碳化硅衬底的背面沉积金属形成所述碳化硅场效应管器件的漏极；所述步骤S5包括：步骤S51，去除所述第四硬掩膜并于所述P+接触区的上方沉积一场氧化层，随后使用第四掩膜版于所述场氧化层上刻蚀得到有源区；步骤S52，于所述两处所述源区区域的上方生长一牺牲氧化层，随后根据湿法刻蚀方法去除所述牺牲氧化层，并生长一栅氧化层覆盖两处所述源区区域；步骤S53，于所述栅氧化层和所述场氧化层上分别沉积一第二多晶硅层，并使用第五掩膜版于所述第二多晶硅层上刻蚀得到多晶硅栅极；步骤S54，于所述栅氧化层、所述场氧化层和所述第二多晶硅层上沉积一介质层并分别使用第六掩膜版和第七掩膜版于所述介质层上刻蚀得到栅源极接触孔和所述碳化硅场效应管器件的所述栅极、所述源极，随后于所述碳化硅衬底的背面沉积金属形成所述碳化硅场效应管器件的所述漏极；所述步骤S54包括：步骤S541，于所述栅氧化层、所述场氧化层和所述第二多晶硅层上沉积所述介质层并使用所述第六掩膜版于所述介质层上刻蚀得到所述栅源极接触孔；步骤S542，于所述介质层上溅射顶层金属，并使用所述第七掩膜版刻蚀所述顶层金属形成所述碳化硅场效应管器件的所述栅极和所述源极；步骤S543，减薄所述碳化硅衬底背面的厚度，并通过溅射或蒸发的方法于所述碳化硅衬底背面沉积金属形成所述碳化硅场效应管器件的所述漏极；所述步骤S2中，于所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜上依次沉积第二氧化硅层、氮化硅层和第三氧化硅层形成所述第三硬掩膜；所述步骤S2包括：步骤S21，于所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜上沉积所述第三硬掩膜；步骤S22，使用第二掩膜版于所述第三硬掩膜上光刻图形；步骤S23，根据湿法刻蚀方法去除所述第一硬掩膜周围的所述第三硬掩膜内的所述第三氧化硅层；步骤S24，去除使用所述第二掩膜版于所述第二硬掩膜上光刻图形残留的光刻胶；步骤S25，根据干法刻蚀方法去除所述第一硬掩膜周围的所述第三硬掩膜内的所述氮化硅层，于所述第一硬掩膜的两个侧壁上分别形成侧墙。

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