上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司康晓旭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利探测器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115092879B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210763636.6，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权探测器及其制造方法是由康晓旭;蒋宾设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本探测器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种探测器及其制造方法，该探测器包括：第一衬底，位于第一衬底上的金属反射层，所述金属反射层具有金属反射图案；位于金属反射层上的微桥单元结构；以及位于微桥单元结构外围的封装结构，所述封装结构包括第二衬底结构和与所述第二衬底结构发生键合的沟槽结构；所述沟槽结构包括形成沟槽的边墙和所述沟槽内部的多层金属结构，所述多层金属结构的高度低于所述沟槽的深度；第二衬底结构包括第二衬底和位于所述第二衬底的第一表面的多层金属结构，所述第二衬底的第一表面的多层金属结构与所述沟槽内部的多层金属结构相互键合。该探测器的产品性能和可靠性较高。
本发明授权探测器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种探测器，其特征在于，包括：第一衬底；位于所述第一衬底上的金属反射层，所述金属反射层具有金属反射图案；位于所述金属反射层上的微桥单元结构；以及位于所述微桥单元结构外围的封装结构，所述封装结构包括第二衬底结构和与所述第二衬底结构发生键合的沟槽结构，所述沟槽结构位于所述第一衬底上；所述沟槽结构包括形成沟槽的边墙和所述沟槽内部的多层金属结构，所述多层金属结构的高度低于所述沟槽的深度；所述第二衬底结构包括第二衬底和位于所述第二衬底的第一表面的多层金属结构，所述第二衬底的第一表面的多层金属结构与所述沟槽内部的多层金属结构相互键合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励