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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利E类功率放大器的解析-数值混合设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114970429B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210698861.6，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权E类功率放大器的解析-数值混合设计方法是由章毓亮;王嘉奇;郭裕顺设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本E类功率放大器的解析-数值混合设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了E类功率放大器的解析‑数值混合设计方法。首先通过理想情形下的E类功率放大器推导公式，以及ZVS与ZVDS条件，求解电路中并联电容C、剩余电感L、串联电感L0和电容C0的初始值。然后引入非理想条件下的增量误差，通过方程求解的松弛迭代技术，优化电路中的元件参数。本方法既避免了现有各种基于理想解析方法修正所需的繁杂推导，又较优化、全电路方程求解等纯数值方法计算简单快速。仿真与实验结果验证了本方法的准确性与有效性。对于需要考虑的器件与电路的寄生效应更多的高频或射频功放设计领域，本方法的优势将更为凸显。

本发明授权E类功率放大器的解析-数值混合设计方法在权利要求书中公布了：1.E类功率放大器的解析-数值混合设计方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤1、设置迭代次数k＝0，通过理想条件下的E类功率放大器推导公式，确定并联电容C、剩余电感L、串联电感L0和电容C0的初始值；步骤2、根据电路元件的设计值进行SPICE仿真，得到负载电流的基频幅度与相位φk、扼流电感上的电流iRFCkωt、输出电流iRkωt和漏极电流idkωt；考虑流经扼流电感电流iRFCkωt的增量ΔiRFCkωt： 其中为直流电流： 考虑输出电流iRkωt上除基波外各次谐波分量的和ΔiRkωt： 考虑MOS管的寄生效应后，在截止期间流过并联电容C的电流ickωt为： 其中：ΔiCkωt＝ΔiRFCkωt-ΔiRkωt-idkωt5Δqkωt表示并联电容C上电荷的增量： MOS管漏极与源极两端的电压vCkωt为： 其中是理想情况下的MOS管开关两端的电压，vCkπ和vCk2π分别为根据仿真结果得到的ωt＝π和ωt＝2π时刻的电压值；根据ZVS条件，有： 因此，迭代更新后的相位φk+1需满足： 其中，qkπ＝CvCkπ，T为周期；因此得到更新后负载电流的基频幅度与相位φk+1为： 步骤3、如果在步骤2的仿真条件下，开关电压在t＝1us时刻的仿真值与理想值的差值δk小于误差控制要求ε，则迭代结束，输出仿真参数作为E类功率放大器的元件参数；否则进入步骤4；步骤4、根据步骤2更新后的负载电流的基频幅度与相位φk+1，更新并联电容C、剩余电感L、串联电感L0和电容C0的参数；并联电容C两端的电压vCkωt的直流分量与电源电压VDD相等： 其中： 根据公式12求解更新后的并联电容Ck+1；剩余电感L两端的基频电压幅度为： 其中： 因此更新后的剩余电感Lk+1为： 根据品质因数与谐振条件得到更新后的串联电感L0k+1和C0k+1： 步骤5、令k＝k+1，并返回步骤2。

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