深圳市埃芯半导体科技有限公司张雪娜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利索勒狭缝装置及索勒狭缝系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115185099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210689097.6，技术领域涉及：G02B27/30；该发明授权索勒狭缝装置及索勒狭缝系统是由张雪娜;郑翠芳;骆荣辉;洪峰设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本索勒狭缝装置及索勒狭缝系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种索勒狭缝装置及索勒狭缝系统,涉及高能辐射领域。该索勒狭缝装置包括：多个基材，设置在X射线的光路上，且多个基材沿光路的垂直方向间隔且层叠设置，以使X射线从相邻基材间的缝隙传输，其中，相邻基材非平行设置；多个薄膜，分别沉积在多个基材上，用于使X射线入射至基材时临界角小于0.4度，以将从多个缝隙传递的X射线聚拢，其中，薄膜包括非金属薄膜。通过上述方式，本申请的索勒狭缝装置能够有效地聚拢X射线，将X射线照射在试料面上而被使用。
本发明授权索勒狭缝装置及索勒狭缝系统在权利要求书中公布了：1.一种索勒狭缝装置，其特征在于，包括：多个基材，设置在X射线的光路上，且所述多个基材沿所述光路的垂直方向间隔且层叠设置，以使所述X射线从相邻所述基材间的缝隙传输，其中，相邻所述基材非平行设置；多个薄膜，分别沉积在所述多个基材上，用于使所述X射线入射至所述基材时临界角小于0.4度，以将从多个所述缝隙传递的所述X射线聚拢，其中，所述薄膜包括非金属薄膜；其中，所述非金属薄膜包括SiOx、SiNx、SiOxNy、AlxOy、AlxSiyOz、a-Si、poly-Si及聚酰亚胺中的任意一个或任意组合制成的薄膜；所述非金属薄膜的质量密度小于5gcm3；所述非金属薄膜的厚度为0.5μm至1μm；所述基材由卡普顿箔、聚对苯二甲酸乙二酯PET、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、玻璃、云母、高定向石墨HOPG、蓝宝石、石墨烯、石英、氟化锂LiF及氧化镁MgO中的任意一个或任意组合制成。
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