深圳市尚鼎芯科技股份有限公司刘道国获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市尚鼎芯科技股份有限公司申请的专利mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210591932.2，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管是由刘道国设计研发完成，并于2022-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种mos板图，以及其应用的mos管单元及功率mos管；版图方面，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条的形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻设置的第一源极和第二漏极合并为同一位置；栅极层与短条形成串联单元，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置；长条以及的短条在形成源极和漏极时，漏极和源极的漏极可以理解为重叠共同设置，使得该位置即作为漏极亦可作为下个mos的源极，进而减少了版图设计的面积。
本发明授权mos版图及应用其的mos管单元及功率mos管在权利要求书中公布了：1.一种mos版图，其特征在于，根据版图规则设计版图，包括有衬底层、源漏层、栅极层和金属层；其中，源漏层包括有长条和短条，栅极层与长条形成并联单元，长条上形成多个第一漏极和第一源极，且相邻设置的第一源极和第一漏极合并为同一位置；栅极层与短条形成串联单元，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置；其中，通过对一个栅极单元进行镜像或复制的排列形式在同一平面上进行排列以获得栅极层；栅极单元的排列数量根据长条和短条的组数以及长度所适配；栅极单元包括分为上区域与下区域，且上区域的面积大于下区域的面积；上区域与长条形成并联单元，下区域与短条形成串联单元；其中，短条上形成多个依次排列的第二漏极、串联点和第二源极，且相邻设置的第二源极和第二漏极合并为同一位置；长条以及的短条在形成源极和漏极时，漏极和源极为重叠共同设置,使得该位置即作为漏极亦可作为下个mos的源极。
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