捷捷微电(南通)科技有限公司王友伟获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种沟槽肖特基器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210547545.9，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种沟槽肖特基器件及其制作方法是由王友伟设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽肖特基器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。
本发明授权一种沟槽肖特基器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述沟槽肖特基器件制作方法包括：提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构；其中，所述多层场板结构中包括刻蚀停止层；基于所述多层场板结构的表面沉积多晶硅，并在进行多晶平坦化工艺后沉积介质层；利用湿法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔；其中，所述接触孔露出沟槽；去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构；沿所述接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属；其中，基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构的步骤包括：基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层；基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层；基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层。
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