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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210506312.4，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件是由陈伟中;魏子凯;林徐葳;秦海峰设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成四种MOSFET的RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括阴极P+区、阴极N+区、阴极P‑well区、漂移区、埋氧层、衬底、阳极P+区、阳极P‑well区、阳极N‑buffer区、普通MOS金属栅极、普通MOS栅极氧化层、阳极N+区、阳极浮空N+区、沟道MOS金属栅极、阳极辅助MOS金属栅极、阳极浮空MOS金属栅极、沟道MOS栅极氧化层、阳极辅助MOS栅极氧化层和阳极浮空MOS栅极氧化层。本发明改善了器件的反向恢复性能和反向导通性能。

本发明授权一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种集成四种MOSFET的RC-LIGBT器件，包括阴极P+区（1）、阴极N+区（2）、阴极P-well区（3）、漂移区（4）、埋氧层（5）、衬底（6）、阳极P+区（7）、阳极P-well区（8）、阳极N-buffer区（9）、普通MOS金属栅极（12）、普通MOS栅极氧化层（16），其特征在于，该器件还包括阳极N+区（10）、阳极浮空N+区（11）、沟道MOS金属栅极（13）、阳极辅助MOS金属栅极（14）、阳极浮空MOS金属栅极（15）、沟道MOS栅极氧化层（17）、阳极辅助MOS栅极氧化层（18）和阳极浮空MOS栅极氧化层（19）；反向导通区由阳极N-buffer区（9）、阳极P-well区（8）、阳极N+区（10）、阳极辅助MOS金属栅极（14）、阳极辅助MOS栅极氧化层（18）、阳极浮空N+区（11）、阳极浮空MOS金属栅极（15）和阳极浮空MOS栅极氧化层（19）组成；所述阳极N+区（10）位于阳极P+区（7）的正后方，所述阳极N+区（10）与阳极P+区（7）共同被阳极P-well区（8）包裹在右上侧；所述阳极P-well区（8）被阳极N-buffer区（9）完全包裹在右上侧；所述阳极浮空N+区（11）位于阳极N-buffer区（9）的后上方，与阳极P+区（7）和阳极N+区（10）处于同一水平方向；所述阳极辅助MOS金属栅极（14）和阳极辅助MOS栅极氧化层（18）位于阳极N-buffer区（9）—阳极P-well区（8）—阳极N+区（10）夹层中阳极P-well区（8）的正上方；所述阳极辅助MOS栅极氧化层（18）下侧与阳极P-well区（8）上侧直接接触，所述阳极辅助MOS栅极氧化层（18）上侧与阳极辅助MOS金属栅极（14）下侧直接接触；所述阳极浮空MOS金属栅极（15）位于阳极N+区（10）—阳极P-well区（8）—阳极N-buffer区（9）—阳极浮空N+区（11）夹层中阳极P-well区（8）、阳极N-buffer区（9）与阳极浮空N+区（11）的正上方；所述阳极浮空MOS栅极氧化层（19）下侧与阳极P-well区（8）和阳极N-buffer区（9）上侧直接接触，所述阳极浮空MOS栅极氧化层（19）上侧与阳极浮空MOS金属栅极（15）左下侧部分直接接触；所述阳极浮空MOS金属栅极（15）与阳极浮空MOS栅极氧化层（19）和阳极浮空N+区（11）直接接触；沟道二极管区由阴极N+区（2）、阴极P-well区（3）、漂移区（4）、沟道MOS金属栅极（13）和沟道MOS栅极氧化层（17）组成；所述阴极N+区（2）位于阴极P+区（1）的右侧，被阴极P-well区（3）完全包裹；所述漂移区（4）位于阴极P-well区（3）的下侧与右侧；所述沟道MOS金属栅极（13）位于阴极N+区（2）—阴极P-well区（3）—漂移区（4）夹层中的阴极P-well区（3）的正上方；所述沟道MOS栅极氧化层（17）下侧与阴极P-well区（3）上侧和漂移区（4）上侧左部分直接接触，所述沟道MOS栅极氧化层（17）上侧与沟道MOS金属栅极（13）下侧直接接触；该器件的底部由埋氧层（5）和衬底（6）组成；所述埋氧层（5）位于漂移区（4）下侧，同时位于衬底（6）的上侧。

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