西安理工大学王凤娟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114513187B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111601115.2，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器是由王凤娟;张定熙;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，包括硅衬底，硅衬底上设有二氧化硅支撑层，二氧化硅支撑层的上方分布有若干个压电薄膜体声波谐振器。本发明不仅能够有效减少滤波器的体积，同时提高滤波器的性能。
本发明授权基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器在权利要求书中公布了：1.基于TSV的阶梯型窄带压电薄膜体声波滤波器，其特征在于：包括硅衬底，硅衬底上设有二氧化硅支撑层，二氧化硅支撑层的上方分布有若干个压电薄膜体声波谐振器；所述压电薄膜体声波谐振器的数量为12个，12个压电薄膜体声波谐振器分别为：谐振器A、谐振器B、谐振器C、谐振器D、谐振器E、谐振器F、谐振器G、谐振器H、谐振器I、谐振器J、谐振器K、谐振器L；谐振器A、谐振器B、谐振器C、谐振器D、谐振器E、谐振器F依次串联，谐振器G与谐振器A并联，谐振器H与谐振器B并联，谐振器I与谐振器C并联，谐振器J与谐振器D并联，谐振器K与谐振器E并联，谐振器L与谐振器F并联；12个所述压电薄膜体声波谐振器的结构相同，单个谐振器的结构为：包括谐振器压电薄膜、谐振器压电薄膜的四周均匀分布有四个TSV圆柱，四个TSV圆柱的顶部均通过五棱柱状的顶电极连接在一起，四个TSV圆柱的底部均通过四边形的底电极连接在一起；底电极与压电薄膜之间设有空气腔；每个TSV铜柱与压电薄膜之间设有二氧化硅隔离层。
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