江西兆驰半导体有限公司舒俊获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510245861.4，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、量子阱层、阱后保护层和量子垒层；阱前保护层依次包括InxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN层和InzGa1‑zN层，量子阱层为InwGa1‑wN层，阱后保护层依次包括InαGa1‑αN层、AlβGa1‑βN层和非掺杂GaN层，量子垒层为GaN层；x＜z≤w，α≤w，y≥β；且沿生长方向，z逐渐增大，α逐渐减小。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
本发明授权发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的阱前保护层、量子阱层、阱后保护层和量子垒层；其中，所述阱前保护层包括依次层叠的InxGa1-xN层、AlyGa1-yN层和InzGa1-zN层，所述量子阱层为InwGa1-wN层，所述阱后保护层包括依次层叠的InαGa1-αN层、AlβGa1-βN层和非掺杂GaN层，所述量子垒层为GaN层；x＜z≤w，α≤w，y≥β；且沿发光二极管外延片的生长方向，z逐渐增大，α逐渐减小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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