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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利衍射型面发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119726366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510232903.0，技术领域涉及：H01S5/06；该发明授权衍射型面发射半导体激光器及其制备方法是由郁骁琦;熊康林;郑煜臻;王军飞;杨辉设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本衍射型面发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器及其制备方法。衍射型面发射半导体激光器包括有源层以及位于上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中的互补型光学调制层，互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；下光学调制层具有折射率不同的第一光学调制材料和第二光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；上光学调制层具有折射率不同的第三光学调制材料和第四光学调制材料，该两类光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，第二光学调制材料所在区域与第四光学调制材料所在区域对应，第一光学调制材料所在区域与第三光学调制材料所在区域对应。

本发明授权衍射型面发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种衍射型面发射半导体激光器，自上而下包括上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，所述有源层发射光，其特征在于，所述衍射型面发射半导体激光器还包括：互补型光学调制层，位于所述上包层、上波导层、下波导层、下包层中的一层或多层中；所述互补型光学调制层包括上光学调制层和下光学调制层；所述下光学调制层包括具有第一折射率的第一光学调制材料和具有第二折射率的第二光学调制材料，所述第一折射率与所述第二折射率不同，所述第二光学调制材料与所述第一光学调制材料形成高低折射率差；所述上光学调制层包括具有第三折射率的第三光学调制材料和具有第四折射率的第四光学调制材料，所述第三折射率与所述第四折射率不同，所述第三光学调制材料与所述第四光学调制材料形成高低折射率差；在垂直于激光出射面的方向上，所述第二光学调制材料所在区域与所述第四光学调制材料所在区域对应，所述第一光学调制材料所在区域与所述第三光学调制材料所在区域对应；当所述第一光学调制材料和所述第四光学调制材料为低折射材料时，所述第二光学调制材料和所述第三光学调制材料为高折射材料；当所述第一光学调制材料和所述第四光学调制材料为高折射材料时，所述第二光学调制材料和所述第三光学调制材料为低折射材料。

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