苏州大学曹冰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉苏州大学申请的专利在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510199771.6，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件是由曹冰;刘淼;夏天设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件，其中，方法包括如下步骤：对硅衬底进行表面氮化处理，以在所述硅衬底的表面形成Si3N4层；在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层；在所述单层石墨烯层上远程外延生长氮化物薄膜；其中，所述氮化物薄膜的晶格信息与所述Si3N4层的晶格结构信息相同。通过采用本发明提供的技术方案，能够实现在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜。
本发明授权在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅衬底进行表面氮化处理，以在所述硅衬底的表面形成Si3N4层；在硅衬底具有Si3N4层的一侧表面上形成单层石墨烯层；在所述单层石墨烯层上远程外延生长氮化物薄膜；其中，所述氮化物薄膜的晶格信息与所述Si3N4层的晶格结构信息相同；所述Si3N4层表面具有电势波动，用于使硅衬底的终止面呈现具有晶格周期性的Si-N键，诱导单层石墨烯层表面的电荷发生重分布，实现在硅衬底上远程外延氮化物薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州大学，其通讯地址为：215200 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号