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龙图腾网获悉深圳市奥斯珂科技有限公司申请的专利边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510189405.2，技术领域涉及：G06F1/20；该发明授权边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备是由尹春设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备，包括以下步骤：获取预设的边缘AI算存芯片的功能需求，并基于所述功能需求确定所述边缘AI算存芯片的芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列；通过深度反应离子刻蚀技术，对预设的晶圆进行TSV刻蚀，得到通孔阵列晶圆；对所述通孔阵列晶圆进行切割，得到独立切割芯片；并对所述独立切割芯片进行冷却通道构建，得到冷却功能芯片；基于所述芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列将所述冷却功能芯片进行多芯片集成和封装，得到边缘AI算存芯片；解决了堆叠的芯片彼此靠近，散热通道变长，导致芯片内部的热量难以散发，容易造成芯片过热的技术问题。

本发明授权边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法，其特征在于，包括以下步骤：获取预设的边缘AI算存芯片的功能需求，并基于所述功能需求确定所述边缘AI算存芯片的芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列；通过深度反应离子刻蚀技术，对预设的晶圆进行TSV刻蚀，得到通孔阵列晶圆；对所述通孔阵列晶圆进行切割，得到独立切割芯片；并对所述独立切割芯片进行冷却通道构建，得到冷却功能芯片；基于所述芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列将所述冷却功能芯片进行多芯片集成和封装，得到边缘AI算存芯片；所述通过深度反应离子刻蚀技术，对预设的晶圆进行TSV刻蚀，得到通孔阵列晶圆，包括：基于光学干涉测量法对预设的晶圆进行厚度测量，得到晶圆厚度图，并对所述晶圆厚度图进行厚度均匀性分析，得到厚度均匀晶圆；利用深度反应离子刻蚀技术对所述厚度均匀晶圆进行TSV初始刻蚀，得到初始刻蚀晶圆，并对所述初始刻蚀晶圆进行侧壁钝化处理，得到钝化晶圆；通过原子层沉积技术对所述钝化晶圆进行阻挡层沉积，得到阻挡层晶圆，并对所述阻挡层晶圆进行光刻图形化，得到图形化晶圆；基于Bosch刻蚀工艺对所述图形化晶圆进行深孔刻蚀，得到深孔晶圆；通过化学气相沉积技术对所述深孔晶圆进行绝缘层沉积，得到绝缘层晶圆，并对所述绝缘层晶圆进行化学机械抛光，得到通孔阵列晶圆；所述对所述通孔阵列晶圆进行切割，得到独立切割芯片；并对所述独立切割芯片进行冷却通道构建，得到冷却功能芯片，包括：通过预设的三维X射线层析成像技术对所述通孔阵列晶圆进行内部结构扫描，得到三维结构分布图，并基于所述三维结构分布图对所述通孔阵列晶圆进行切割路径规划，得到切割路径；通过多波长激光切割技术，基于所述切割路径对所述通孔阵列晶圆进行分层切割，得到初步切割芯片，并对所述初步切割芯片进行边缘倒角处理，得到独立切割芯片；通过原子层刻蚀技术对所述独立切割芯片进行表面原子级平整化，得到平整化芯片；利用微流控通道设计技术对所述平整化芯片进行冷却通道图形构建，得到微通道结构，并对所述微通道结构进行各向异性刻蚀，得到三维流道网络；对所述三维流道网络进行超亲水性表面改性，得到表面润湿特性芯片，并对所述表面润湿特性芯片进行纳米级功能涂层沉积，得到流体动力学芯片；利用微尺度热流分析技术，对所述流体动力学芯片进行传热性能评估，得到热阻和温升分布数据，若所述热阻和温升分布数据在预设的安全工作范围内，则得到冷却功能芯片；若不在，则通过预设的遗传算法对热阻和温升分布数据进行深度分析，得到优化后的冷却通道结构参数，并基于所述优化后的冷却通道结构参数对所述流体动力学芯片进行优化，得到冷却功能芯片；所述通过预设的三维X射线层析成像技术对所述通孔阵列晶圆进行内部结构扫描，得到三维结构分布图，并基于所述三维结构分布图对所述通孔阵列晶圆进行切割路径规划，得到切割路径，包括：对所述通孔阵列晶圆进行相衬X射线层析扫描，得到原始衍射图像，并对所述原始衍射图像进行相位重构，得到多层衍射图谱；通过空间频域滤波技术对所述多层衍射图谱进行数字化重构，得到密度分布数据，并对所述密度分布数据进行三维体素重建，得到体素分布图；通过逆投影算法对所述体素分布图进行三维重构，得到三维结构分布图，并对所述三维结构分布图进行切割区域规划，得到切割区域参数；其中，所述切割区域参数包括切割临界点、应力敏感区及材料分界线；利用拓扑优化技术，基于所述切割区域参数对所述通孔阵列晶圆进行切割路径规划，得到切割路径。

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